1991 Fiscal Year Annual Research Report

反応の計測,診断

Research Project

Project/Area Number	03239105
Research Institution	Toyohashi University of Technology
Principal Investigator	英貢豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90124734)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	安田幸夫名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) 田中武彦九州大学, 理工部, 教授 (00011586) 川崎昌博北海道大学, 応用電気研, 教授 (70110723) 小尾欣一東京工業大学, 理学部, 教授 (10016090)
Keywords	光励起プロセス / アルミ薄膜 / X線電子分光法 / 走査型トンネル顕微鏡 / 反射高速電子線回折 / 光誘起表面泳動 / 赤外ダイオ-ドレ-ザ-分光法 / レ-ザ-誘起蛍光法
Research Abstract	光励起プロセスに関する基礎過程を理解し、この手法を発展させるためには、反応過程の計測、診断が必須であり、本研究グル-プは、その手段の開発と実際のシステムへの応用を行っている。反応も、気相反応と表面反応に分けられるが、前者については、各種の最新のレ-ザ-分光法を利用し、後者については、未だ計測手法が確立されてなく、必要に応じて装置を自作することも含めて多角的な計測を行っている。これまでの成果としては、まず、アルミ薄膜の形成とそのプロセス診断の研究がある。(CH_3) _2 AlHに紫外光を照射すると、伝導性の高いアルミ薄膜を形成できる。その初期過程を、x線電子分光法(XPS)を利用して調べると、核形成を始めるためには、材料ガスが基板上へ吸着して、アルミとメチル基が結合していて、それが真空紫外光で分解されること、その核上にアルミが堆積することには、異なった種類の吸着種が形成されることが分かった。さらに、走査型トンネル顕微鏡を利用して、その核形成の模様が観測され、光照射の方が熱反応によるより、核の生成密度が高くなることが観測された。さらに、Si(100)面上にGe膜を成長させる過程をRHEEDにより観測して、光励起下で反応種の表面泳動があるらしいことが分かった。これはまだ予備的結果であるが、光誘起表面泳動を示唆するデ-タは少なく、貴重な成果といえる。その外、気相診断では、赤外ダイオ-ドレ-ザ-分光法とレ-ザ-誘気蛍光法で、シラン等半導体プロセスで重要なガスの気相分解が精密に調べられている。

Research Products

(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] M.Hanabusa: "Wavelength dependence in photochemical vapor deposition of aluminum tilm using dimethylaluminum hydride" Applied Organometallic Chemistry. 5. 289-293 (1991)
[Publications] K.Sahara: "control of reaction mechanism of photochemical vapor deposition of aluminum film by timing of source introduction" Japanese Journal of Applied Phyrics. 30. 1545-1548 (1991)
[Publications] M.Hanabusa: "Scanning tunneling microscopic study of the prowih process in photochemical vapor deposition of aluminum film" Materials Research Society Symposium Proceeding. 201. 607-612 (1991)
[Publications] N.Ohshima: "Formation of a superstructure in the initial stage of the epitaxial growth on Sλ(100) substrates" Applied Surface Science. 48/49. 69-75 (1991)
[Publications] S.Shogen: "Pyvolytic and photolytic dissociation of trimethy lgallium on Si,Al and Au substrates" Journal of Applied Physics. 70. 462-468 (1991)
[Publications] T.Ishiwata: "Optical-optical douthe resonance spectroscopy of Cl_2:First obseruation and analysis of the Og( ^3P_1) ion-pair stcte and the lower-lying β^<13π>(O_a^-) valance state" Journal of Chemical Phyrics. 95. 60-65 (1991)
[Publications] 英貢: "先端真空利用技術" 日経技術図書, 9 (1991)

1991 Fiscal Year Annual Research Report

反応の計測,診断

Principal Investigator

英 貢 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90124734)

Research Products

[Publications] M.Hanabusa: "Wavelength dependence in photochemical vapor deposition of aluminum tilm using dimethylaluminum hydride" Applied Organometallic Chemistry. 5. 289-293 (1991)

[Publications] K.Sahara: "control of reaction mechanism of photochemical vapor deposition of aluminum film by timing of source introduction" Japanese Journal of Applied Phyrics. 30. 1545-1548 (1991)

[Publications] M.Hanabusa: "Scanning tunneling microscopic study of the prowih process in photochemical vapor deposition of aluminum film" Materials Research Society Symposium Proceeding. 201. 607-612 (1991)

[Publications] N.Ohshima: "Formation of a superstructure in the initial stage of the epitaxial growth on Sλ(100) substrates" Applied Surface Science. 48/49. 69-75 (1991)

[Publications] S.Shogen: "Pyvolytic and photolytic dissociation of trimethy lgallium on Si,Al and Au substrates" Journal of Applied Physics. 70. 462-468 (1991)

[Publications] T.Ishiwata: "Optical-optical douthe resonance spectroscopy of Cl_2:First obseruation and analysis of the Og( ^3P_1) ion-pair stcte and the lower-lying β^<13π>(O_a^-) valance state" Journal of Chemical Phyrics. 95. 60-65 (1991)

[Publications] 英 貢: "先端真空利用技術" 日経技術図書, 9 (1991)

英貢豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90124734)

[Publications] 英貢: "先端真空利用技術" 日経技術図書, 9 (1991)