1991 Fiscal Year Annual Research Report
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03243220
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
曽我 哲夫 名古屋工業大学, 工学部, 助手 (20197007)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
梅野 正義 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90023077)
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| Keywords | シリコン基板 / 結晶成長 / 結晶成長初期過程 / 核形成 / 透過電子顕微鏡 / 3次元成長 |
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| Research Abstract |
MOCVD法を用いてSi基板上にGaAs,GaP,AlAsの化合物半導体をV/III比、成長速度、基板のオフ角度などを変えて結晶成長を行い、どの様な機構で核形成が起こり、成長が進むか調べた。
Si基板上にはすべての化合物半導体は成長初期に3次元島状成長した。AlAsはSi上に連続した島を形成するのに対し、GaAsとGaPは島同志が離れている。これはSiとGaやAlとの結合の違いによるものだと考えられる。即ち、AlはSiとの結合力が強いためにAlAsは平坦になりやすいが、GaはSiとの結合力が弱いために島を形成した方がエネルギ-的に安定であり、3次元成長しやすいと考えられる。
次に、Siにほぼ格子整合がとれているGaPに対して、成長条件を変えて島の密度がどの様に変化するか調べた。島の密度は成長速度に比例して増加した。V/III比を増加すると島の密度は増加し、V/III比が600では連続した膜が形成され、800では平坦な膜になった。島の密度はオフ角度を変化しても変化がなかった。
MOCVD法によるホモ成形では原料は気相中で分解され、境界層を拡散し、基板表面をマイグレ-ションしてステップに取り込まれて2次元成長する。Si基板上の場合、原料の分解と境界層の拡散はホモ成長と大きな違いはなく、基板上のマイグレ-ション長がホモ成長の場合より長いと考えられる。即ち、原料は基板上をマイグレ-ションしている間に分子は徐々に大きくなり、分子はクラスタ-を形成し、分子の大きさがある大きさ以上になり、マイグレ-ションしにくくなるとクラスタ-は基板に堆積し、島を形成する。島の密度はGa、Pの濃度に比例することからクラスタ-はGa_xP_yの形をしていると考えられる。
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[Publications] T.Soga: "Initial growth mechanism for GaAs and AaP on Si substrate by MOCUD" Jpn.J.Appl.Phys. 30. 3471-3474 (1991)
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[Publications] T.Soga: "TEM characterization of GaP/Si interface grown by MOCVD" Appl.Surf.Sci.(1992)
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[Publications] T.Suzuki: "Tilt deformation of MOCVD grown GaP on Si substrate" Jpn.J.Appl.Phys.
