1991 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン上ゲルマニウム及び強誘電膜ヘテロ界面の形成制御と高分解能構造解析
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03243230
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
城戸 義明 立命館大学, 理工学部, 教授 (40224993)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
原見 忠彦 立命館大学, 理工学部, 助教授 (00066721)
中山 康之 立命館大学, 理工学部, 教授 (40027040)
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| Keywords | シリコン / ゲルマニウム / 強誘電膜 / ヘテロ界面 / イオン散乱 / 透過電顕断面像 / 計算機シミュレ-ション |
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| Research Abstract |
今年度の研究実績は次の3点に集約することができる。
(1) 超高真空槽にKーセルとRHEEDを取り付け,RHEEDによるSi清浄表面の観察を行った。Kーセルは真空チェックと簡単な加熱テストのみ行い、着蒸は直線導入膜厚計の導入('92年5月)後に実施する。
(2) 高真空下(〜10^<-8>torr)水素終端したSi(100)にGeを蒲く(100A^^°)蒸着し,アニ-ル後のGe結晶性及び界面の構造をRHEEDとMEIS(175keV He^+ビ-ム)で調べた。600℃ 24hアニ-ルではアモルファス,1000℃ 1minのランプアニ-ルでは良好な結晶性が観察された。現在,詳細なデ-タ解析を実施中。
(3) 表面より約1000原子層深さまでの入射粒子軌道をモンテカルロシミュレ-ションで追い,チャネリングイオンの後方散乱スペクトルを解析するプログラムを開発した。本プログラムを,結晶構造の部分的に乱れたGaP結晶に適用し、欠陥の深さ方向分布を導出した。
今後は,超高真空下で(10^<-10>Torr)基板温度,蒸着速度を正確にコントロ-ルしてGe/Sc(111)on Ge/Si(100)ヘテロ界面形成を行い,イオンチャネリング及び透過電顕断面像による測定観察を行う。又、1992年度科研費より更に1本のKーセルを導入し,第3の原子層(1原子層以下)をSi上にのせ,表面エネルギ-を緩和させることによってヘテロ界面の構造制御を実施したい。
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[Publications] Y.kido and T.Koshikawa: "Energy straggling for Medium Energy H^+ Beams Penetrating Cu,Ag,and Pt" Physical Review A. 44. 1759-1767 (1991)
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[Publications] H.Nakano and Y.Kido: "Monte Carlo Shimulation of IonーChanneling Spectra from Partially Damaged Crystals" Journal of Applied Physics. 71. 133-139 (1992)
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[Publications] Y.Kido et al.: "Lattice Location and Ionic state of Tm Implanted into CaF_2" Physical Review B. 45. (1992)
