1992 Fiscal Year Annual Research Report

電子線励起による選択的化学反応を用いた原子オーダの材料プロセスの開発

Research Project

Project/Area Number	03402024
Research Institution	Hiroshima University
Principal Investigator	八百隆文広島大学, 工学部, 教授 (60230182)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	吉村雅満広島大学, 工学部, 助教授 (40220743)
Keywords	走査トンネル顕微鏡 / 電子的励起 / ナノテクノロジー / 選択的化学反応 / 表面反応プロセス
Research Abstract	本年度は、加熱処理により得られたSi(111)清浄表面上へのガス分子の吸着を行ない、吸着構造と吸着化学状態を調ベるとともに、HF処理による原子レベルで平坦なSi(111)表面を得て、その化学耐性に関して検討した。 AlのデポジションあるいはSi表面のエッチングが可能なAlCl_3を室温で0、1-0、5ラングミュアーSi(111)-7×7表面に吸着させ、STMによりその吸着サイトと吸着化学種を調ベるとともに吸着表面を熱処理し、その表面形状の変化を調べ、以下の知見を得た。 (1)AlCl_3分子の吸着によりSi-7×7表面原子サイトにコントラストが生じ、これは強い試料バイアス依存性を示す。試料バイアス依存性から、AlCl_3分子は解離吸着しCl原子およびAlClなどの種々の分子種に解離する。(2)Cl原子はセンターアドアトムサイトに優先的に吸着する。AlClなどの解離分子種の吸着サイトはレストアトムサイト、アドアトムサイトなどである。(3)室温吸着したSi表面を加熱することにより、〈110〉をステップ端とする異方性エッチングが生じる。 Si(1111)表面をHF処理することによりH終端したSi表面が得られる。これをFTIR、STMで評価し、HF溶液濃度によりSi-H、Si-H_2、Si-H_3等の原子オーダの表面ラフネスを反映した表面終端が得られること、pH調整した緩衝HF溶液処理によりSi-H終端が支配的な原子レべルで平坦なSi表面が得られることが明らかになった。PLによる評価から、このように原子オーダで平坦な表面は自然酸化しにくいことが明らかになった。

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Nanometer-scale process technolsgy on graphite surface by scanning tunneling microscope" Extended Abstracts of the 1991 International Corf.Solid State Devices and Mrtericls. 678-679 (1991)
[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Namometer-scale Fabrication on qraphile surfaces by scanning tunneling microscope" Ultramicroscopy. 42-44. 1443-1445 (1992)
[Publications] Tomohiro Konishi: "Characterization of HF-Trented Si sunfaces by photolumimeccence spertroscopy and scanming tunrdiz microscopy" Extinded Abstracts of the 1992 International lorf.Solid Stcle Derices and Material. 129-131 (1992)
[Publications] Tonohiro Komishi: "Charactevizafirn of HF-trented Si surfacer by photolumirscence spectroscopy" Japanese Jarnal of Spplied Physir. 31. L1216-L1218 (1992)
[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Deposition of name-scale Ga dots onto HF-trected Si(111)using a scanning tunneling nicroscope" Proceidihgs of Materirls Reseanch sociely. (1993)
[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Nanometer-scale depoition of Ga on HF-trented si(111)surfacer throryb the decompoition of trietlylgallium by scanming tunreling microscopy" Japanese Journal of Sprlied physir. 32. (1993)

1992 Fiscal Year Annual Research Report

電子線励起による選択的化学反応を用いた原子オーダの材料プロセスの開発

Principal Investigator

八百 隆文 広島大学, 工学部, 教授 (60230182)

Research Products

[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Nanometer-scale process technolsgy on graphite surface by scanning tunneling microscope" Extended Abstracts of the 1991 International Corf.Solid State Devices and Mrtericls. 678-679 (1991)

[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Namometer-scale Fabrication on qraphile surfaces by scanning tunneling microscope" Ultramicroscopy. 42-44. 1443-1445 (1992)

[Publications] Tomohiro Konishi: "Characterization of HF-Trented Si sunfaces by photolumimeccence spertroscopy and scanming tunrdiz microscopy" Extinded Abstracts of the 1992 International lorf.Solid Stcle Derices and Material. 129-131 (1992)

[Publications] Tonohiro Komishi: "Charactevizafirn of HF-trented Si surfacer by photolumirscence spectroscopy" Japanese Jarnal of Spplied Physir. 31. L1216-L1218 (1992)

[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Deposition of name-scale Ga dots onto HF-trected Si(111)using a scanning tunneling nicroscope" Proceidihgs of Materirls Reseanch sociely. (1993)

[Publications] Katsuhiro Uesugi: "Nanometer-scale depoition of Ga on HF-trented si(111)surfacer throryb the decompoition of trietlylgallium by scanming tunreling microscopy" Japanese Journal of Sprlied physir. 32. (1993)

八百隆文広島大学, 工学部, 教授 (60230182)