1991 Fiscal Year Annual Research Report
高密度集積回路の低エネルギ-電子ビ-ム支援微細加工法に関する基礎的研究
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03452181
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
藤岡 弘 大阪大学, 工学部, 教授 (40029228)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中前 幸治 大阪大学, 工学部, 講師 (40155809)
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| Keywords | 電子ビ-ム支援エッチング / 集積回路 / 二次電子 / 試料吸収電流 |
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| Research Abstract |
1.反応性ガス導入系の設計・製作と走査電子顕微鏡試料室への装着
所望の流量のガスを微細口径(200μmφ)ノズルを通じて試料表面へ噴出させるガス導入系を設計・製作し、現有の走査電子顕微鏡(JSMー35)の試料室を改造し,上記ガス導入系を装着した。
2.電子ビ-ムエッチング実験
XeF_2を反応性ガスとして用い,SiO_2,SiN膜のエッチング実験を行った。まず、
(1)エッチングの完了を検知するため、二次電子信号と試料吸収電流をモニタ-した。この結果、エッチングの完了は、二次電子信号、或いは、試料吸収電流が飽和した時点と判定できることが分かった。
(2)ガス流量,試料温度,加速電圧,ビ-ム電流、ビ-ム径、電子ビ-ム照射法(スポット照射、ラスタ-走査)、試料背面電極電位等をパラメ-タとしてエッチング速度を測定し,結果を評価した。その結果、エッチング速度は、加速電圧が低いほど、ビ-ム電流が大きいほど、早くなること、等が分かった。
3.電子ビ-ムエッチング形状のシミュレ-ション
2の(2)の結果から、二次電子放出特性を考慮してエッチング形状をシミュレ-ションし、実験結果と比較したところ、かなり良く類似したエッチング形状を得た。
4.上記の結果から、サブミクロンのエッチング加工のためには、エッチングに用いる電子ビ-ムのビ-ム径として、希望する大きさの1/3程度以下の大きさのビ-ム径を持った電子ビ-ムを用いる必要があることが分かった。
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[Publications] 中前 幸治: "LSI表面保護膜のサブミクロン電子ビ-ムエッチング" 日本電子顕微鏡学会第47回学術講演会資料. 266 (1991)
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[Publications] 中前 幸治: "LSI表面保護膜の高アスペクト比/サブミクロン電子ビ-ムエッチング" 日本学術振興会第132委員会第115回研究会資料. 7-12 (1991)
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[Publications] 石井 友規: "電子ビ-ムエッチング開口窓による電位コントラストの測定" 日本学術振興会第132委員会第117回研究会資料. 142-147 (1991)
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[Publications] 小迎 聰: "電子ビ-ムエッチング開口窓による電位コントラストの測定" 日本電子顕微鏡学会第48回学術講演会. (1992)
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[Publications] K.Nakamae: "Electron beam assisted high aspect ratio/submicron etching of the passivation SiO_2 on LSIs" J.Phys.D:Appl.Phys.
