1991 Fiscal Year Annual Research Report

反射型高速陽電子回折(RHEPD)測定装置の試作

Research Project

Project/Area Number	03555004
Research Institution	University of Tsukuba
Principal Investigator	谷川庄一郎筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)
Keywords	反射型高速陽電子回折 / 反射型高速電子回折 / 表面構造解析
Research Abstract	反射型高速電子線回折法(RHEED)は、現在、表面構造解析に不可欠な手段である。本研究では、電子の反粒子である陽電子を利用した反射型高速陽電子線回折(Reflection High Energy Positron Diffraction:RHEPD)測定装置を世界で最初に試作し、RHEPDがRHEEDと比較して、表面構造解析能力が格段に優れていることを実証することを目的とした。平成3年度には、反射型高速陽電子回折測定部の真空関係の整備、陽電子の高輝度化、陽電子ビ-ムの50keVまでの加速部の整備を行った。 (1)反射型高速陽電子回折測定部真空の整備:測定部真空容器の細部設計を進め、できるだけコンパクトな容器を筑波大学工作センタ-にて試作した。これに、現有のタ-ボ分子ポンプ、イオンポンプを結合し、10^<‐8>パスカル以下の超高真空を実現することができた。 (2)陽電子源の入手と高輝度化ビ-ムの50keVまでの加速:80ミリキユリ-の ^<22>Na陽電子源を購入し、これを、現有の低速・単色陽電子発生部に装着した。これから得られる低速1単色ビ-ムを現有の高輝度化ステ-ジに導き、100eVのエネルギ-で、ビ-ム径80μm、ビ-ム発散角1度の陽電子ビ-ムを得た。このビ-ムを、非磁性の加速電極および50keV精密高圧電源との結合により加速し、2μm以下のビ-ム径に絞った。高輝度化ステ-ジには、新たな電子レンズ系への改良を行った。 (3)測定部真空容器の50kV高電圧フロ-ト化:高圧絶縁部品および現有の絶縁トランスにより、50kVまでの高電圧フロ-ト化を行った。以上の開発により、平成4年度には、世界で最初のRHEPDの実験を行い、その有効性を実証することに、目途をつけることができた。

Research Products
(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] D.E.Bliss,W.Walukiewicz,J.W.Ager,E.E.Haller,K.T.Chan and S.Tanigawa: "Annealing studies of low temperature-grown GaAs:Be" J.Appl.Phys. 71. 1699-1707 (1992)
[Publications] S.Shikata,S.Fujii,L.Wei and S.Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy-type defects in Si^+-implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.31. 732-736 (1992)
[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa,K.Ohta and J.Y.Lee: "The effect of point defects on the electrical activation of Si-implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans.on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)
[Publications] L.Wei,Y.Tabuki,H.Kondo,S.Tanigawa,R.Nagai and E.Takeda: "Stress induced rearrangement of oxygen atoms in Si investigated by a monoenergetic positron beam" J.Appl.Phys.70. 7543-7548 (1991)
[Publications] M.Saito,A.Oshiyama and S.Tanigawa: "Anisotropic momentum distribution of positron annihilation radiations in semiconductors" Phys.Rev.B. 44. 10601-10609 (1991)
[Publications] L.Wei,Y.K.Cho,C.Dosho,S.Tanigawa,T.Yodo and K.Yamashita: "Defects in MOVPE-grown ZnSe films on GaAs investigated by monoenergetic positrons" Jpn.J.Appl.Phys. 30. 2442-2448 (1991)
[Publications] 谷川庄一郎(分担): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」第3章" リアライズ社, 410 (1991)

1991 Fiscal Year Annual Research Report

反射型高速陽電子回折(RHEPD)測定装置の試作

Principal Investigator

谷川 庄一郎 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)

Research Products

[Publications] D.E.Bliss,W.Walukiewicz,J.W.Ager,E.E.Haller,K.T.Chan and S.Tanigawa: "Annealing studies of low temperature-grown GaAs:Be" J.Appl.Phys. 71. 1699-1707 (1992)

[Publications] S.Shikata,S.Fujii,L.Wei and S.Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy-type defects in Si^+-implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.31. 732-736 (1992)

[Publications] J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa,K.Ohta and J.Y.Lee: "The effect of point defects on the electrical activation of Si-implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans.on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)

[Publications] L.Wei,Y.Tabuki,H.Kondo,S.Tanigawa,R.Nagai and E.Takeda: "Stress induced rearrangement of oxygen atoms in Si investigated by a monoenergetic positron beam" J.Appl.Phys.70. 7543-7548 (1991)

[Publications] M.Saito,A.Oshiyama and S.Tanigawa: "Anisotropic momentum distribution of positron annihilation radiations in semiconductors" Phys.Rev.B. 44. 10601-10609 (1991)

[Publications] L.Wei,Y.K.Cho,C.Dosho,S.Tanigawa,T.Yodo and K.Yamashita: "Defects in MOVPE-grown ZnSe films on GaAs investigated by monoenergetic positrons" Jpn.J.Appl.Phys. 30. 2442-2448 (1991)

[Publications] 谷川 庄一郎(分担): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」第3章" リアライズ社, 410 (1991)

谷川庄一郎筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90011080)

[Publications] 谷川庄一郎(分担): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」第3章" リアライズ社, 410 (1991)