デスク・トップ型超高速スパッタ装置の試作と金属一半導体相転移の研究

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 03555140
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 水谷 宇一郎 名古屋大学, 工学部, 教授 (00072679)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 古谷野 有 名古屋大学, 工学部, 助手 (00215419) ; 福永 俊晴 名古屋大学, 工学部, 助教授 (60142072)
• Keywords: アモルファス / デスク・トップ型スパッタ装置 / 金属一半導体相転移

Research Abstract

アモルファス金属とアモルファス半導体の境界領域では原子構造にもまた電子構造にも特異な現象が起ることが期待されている。しかし、このような組成領域ではアモルファス相を大量に製造出来る液体急冷法が適用出来ない。我々は机の上に乗る小型でかつ簡便な仕様を誇るいわゆるデスク・トップ型超高速スパッタ装置を独自の方法で試作することを提案し、金属一半導体境界領域におけるアモルファス固体を厚膜として作製することを試みている。この装置を駆使してアモルファス固体の原子構造と電子構造を統一的に理解しようとするものである。
平成4年度には平成3年度末に完成したスパッタ装置の特性評価の研究から始めた。特殊マスフローコントロールシステムやサブストレート回転機構を導入し、無人運転化に成功した。現在金属元素としてVを、半導体元素としてSiを選び、VーSiの合金ターゲットを50at%Si及び90at%Si組成で作製しアモルファス厚膜を作製しているところである。すでに50at%Siアモルファス相の電気抵抗及び中性子回折による原子構造のデータを測定しはじめており、今後貴重なデータが蓄積されていくと考えている。
合金系としてはVーSiの他にVーGe,さらに我々の研究室で液体急冷法や蒸着法で実績を挙げているAgーCuーGe系についてアモルファス相を作製し金属一半導体領域の電子散乱機構について明らかにしていく予定である。

Research Products

• [Publications] U.Mizutani: "Electron transport in non-periodic metallic systems:amorphous alloys and quasicrystals" Phys.stat.sol.(b). 176. 1-22 (1993)
• [Publications] U.Mizutani: "Electron transport in non-periodic systems including amorphous metals and quasicrystals" presented at NEC Symposium (Karuezawa,October11-15,Journal of Materials Science and Engineering B 1992. (1993)