1992 Fiscal Year Annual Research Report
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03650019
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| Research Institution | Tokyo Metropolitan Univ. |
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Principal Investigator |
奥村 次徳 東京都立大学, 工学部, 教授 (00117699)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
海部 宏昌 東京都立大学, 工学部, 助手 (40224331)
志村 美知子 東京都立大学, 工学部, 助教授 (60087294)
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| Keywords | ひ化ガリウム / プラズマフッ化 / フッ化物 / リモートプラズマ / 水素クリーニング / 表面損傷 |
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| Research Abstract |
平成3年度には、CF_4プラズマを用いることにより、GaAs表面に若干の酸素を含むガリウムフッ化物が形成できることを明らかにした。酸素の導入経路の解明と除去、プラズマ中のエネルギー粒子の照射により発生する欠陥の低減、および基板表面の界面に残留する遊離ひ素の低減が課題であり、今年度は前2者について検討を行なった。その結果の概要を以下に示す。
1)Gaのフッ化物は大気中の水分により容易に酸素を取り込む性質がある。そこで、フッ化後連続してa-Si膜の堆積を行ない、保護膜としての効果を検討した。効果はそれほど大きくなく、元々基板表面に存在するGaAsの自然酸化膜も酸素源となっている可能性がある。
2)プラズマ損傷の影響を減らすため、リモートプラズマ発生装置を設計・試作した。この装置は、基板から15cm離した領域に外部結合型のプラズマ発生領域を置くと共に、グリッド電極、および基板バイアス電極を備え、イオン種、電子、中性ラジカル種の働きを分離することができる。
3)開発したリモートプラズマ装置を用いて、酸素源と考えられる自然酸化膜除去はイオン種が支配的な水素プラズマ照射により、300℃以下の低温でも可能なことが分かった。このとき、基板に電子が到達しにくいバイアスを印加すれば、GaAs表面に導入される欠陥濃度も非常に小さくできることが明らかになった。
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[Publications] S.Q.Shano,H.T.Kaibe and T.Okumura: "Incorporation of Proton-Related Donor in Near-Surface Region of GaAs upon Plasma Hydrogenation" Proc.19th Symp.GaAs and Related Compounds,to be published in Inst.Phys.Conf.Ser.(London). (1993)
