高分解能X線法によるエピタキシャル結晶の構造解析と評価

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04044066
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 橋爪 弘雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (10011123)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): TIMOTHY R Da CSIRO, Division of Materials Science & Te, Research S ; ANDREW W Ste CSIRO, Division of Materials Science & Te, Research S ; STEPHEN W Wi CSIRO, Division of Materials Science & Te, Senivr Pri ; 尾嶋 正治 日本電信電話株式会社, 機能材料研究所, 主幹研究員 ; 坂田 修身 東京工業大学, 工業材料研究所, 助手 (40215629) ; 佐々木 聰 東京工業大学, 工業材料研究所, 助教授 (10162364) ; 大隅 一政 高エネルギー物理学研究所, 放射光実験施設, 教授 (70011715)
• Keywords: シンクロトロン放射 / 白色X線回析 / エピタキシャルHgCdTe結晶 / すれすれ入射 / ラウエ回析 / 近表面構造欠陥

Research Abstract

平成4年11月〜12月にオーストラリア国立科学産業研究機構CSIROより研究分担者S.ウィルキンス,A.ステベンソンおよび研究協力者D.ガオを招へいし、高エネルギー物理学研究所放射光実験施設において、白色シンクロトロンX線を用い以下の研究を行なった。(1)エピタキシャルHgCdTe結晶の構造欠陥(すれすれ入射条件を用いて膜と下地の回析顕微像を分離記録し、両者の間の格子欠陥像の相関を調べた)、(2)イオン打込みシリコンの格子変形(入射角0.5°で撮影したラウエ回析図形中にイオン打込みに起因すると思われる散慢散乱を観察した)、(3)バルクGaAs結晶の近表面構造(すれすれ入射のラウエ写真中にCTRと考えられるストリークが記録された)。以上の実験は、放射光実験施設BL-2OBに建設中のオーストラリア・ビームラインで行なわれた最初の実験である。本実験を通じて、ビームダクト、インターロック系、安全ハッチ等が所期の機能を発揮することが確認され、同ビームラインの立ち上げに貢献することができた。実験データの解析を引き続き進めている。

Research Products

• [Publications] T.NIWA: "Structure of fluoride/GaAs(111)heteroepitaxial interfaces" Sunface Science. 282. 342-356 (1993)
• [Publications] O.SAKATA: "X-ray evalnation of micro roughness of mechanochemieally polished silicon sunfaces" Jpn.J.Appl.Plrys.(1993)
• [Publications] M.SUGIYAMA: "Sunface and inter face structares of S-passivated GaAs(111)studied by soft X-ray starding waves" Appl.Plrys.hett.60. 3247-3249 (1992)
• [Publications] K.OHSUMI: "Characterizatirr" Rev.Sci.Instrum.63. 1181-1184 (1992)
• [Publications] T.J.Davis: "A stochastic model for X-ray diffraction form inper fect cystols" Acta Cryst.A. A48. 872-879 (1992)
• [Publications] D.Gao: "Nean-sunface micro structural charactevizatim by extreme asymmetric Bragg oeflection topograply" J.Appl.plys.(1993)