レーザー分光法と表面分析分光法による表面光化学反応の素過程

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04045011
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 川崎 昌博 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (70110723)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): WILSON Ho コーネル大学, 物理学科, 助教授 ; PAUL Houston コーネル大学, 化学科, 教授 ; 正源 聡 北海道大学, 電子科学研究所, 助手 (50216157) ; 栃原 浩 北海道大学, 触媒化学研究センター, 助教授 (80080472) ; 早川 和延 北海道大学, 触媒化学研究センター, 教授 (80218552) ; 松見 豊 北海道大学, 電子科学研究所, 助教授 (30209605)
• Keywords: X線光電子分光法 / 分解 / ジメチルアルミニウムハイドライド / シリコン基板 / 解離吸着 / メチル基 / レーザー光 / アルミニウム-炭素結合

Research Abstract

コーネル大学における表面解析装置の調査結果を参考にして、ジメチルアルミニウムハイドライド(DMAIH)のSi(100)基板への吸着及び紫外レーザー光照射による光分解を調べ、また北大においてはX線光電子分光法を用いて調べた。
1.吸着基板
150Kに冷却したSi基板に1.3Lexposureさせた時、[C]/[A1]の比が2.1±0.1であることから、DMAIHは分解していない。しかし、300KでSi基板に吸着させた時には、[C]/[A1]の比が2.7±0.1であることから、室温でDMAIHを吸着させると、ほとんどのDMAIHは解離吸着し、生成したメチル基がSiと結合していることがわかった。
2.光分解過程
DMAIHを1.7LexposureさせたSi基板(150K)へのレーザー光照射(60分)では、[C]/[A1]の比が2.1±0.1から1.6±0.1に低下した。このことから、レーザー光照射によりDMAIHが光を吸収してA1-C結合が切れ、メチル基が基盤から脱離したと考えられる。しかし、DMAIHを2LexposureさせたSi基板(150K)への351nmのレーザー光照射(40分)では、[C]/[A1]の比が2.1±0.1から1.9±0.1と変化しなかった。

Research Products

• [Publications] S.SHOGEN: "Photodissociation of trimethylindium on Si(111) at 193 nm." Thin Solid Films. 218. 58-61 (1992)
• [Publications] L.L.Springsteen: "Anisotropy and energy disposal in the 193-nm N 0 photodissociation measured by VUV laserinduced fluorescence of 0(^1D)." Chemical Physics Letters.