レーザー分光法と表面分析分光法による表面光化学反応の素過程

1993 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04045011
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 川崎 昌博 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (70110723)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): SPRINGSTEEN ラリー コーネル大学, 化学科, 助手 ; HO Wilson コーネル大学, 物理学科, 助教授 ; HOUSTON Paul コーネル大学, 化学科, 教授 ; 皆川 秀紀 北海道大学, 触媒化学研究センター, 助手 (70202348) ; 早川 和延 北海道大学, 触媒化学研究センター, 教授 (80218552) ; 松見 豊 北海道大学, 電子科学研究所, 助教授 (30209605)
• Keywords: 表面光分解 / 表面配向 / トリメチルインジウム / 一酸化窒素 / 半導体 / トリメチルガリウム / ダイナミックス / ジメチルアルミニウムハイドライド

Research Abstract

次に述べる実験を北海道大学・コ-ネル大学で行ない、それぞれ論文にするとともに、来日、訪米による成果の一つとして、北大、コ-ネル大の共同論文を出した。
・トリメチルインジウムのSi(111)半導体表面光分解(北大)
・鉄アルカンチオールの表面配向(北大)
・ジメチルアルミニウムハイドライドのSi(100)半導体表面上の紫外光分解(北大)
・トリメチルインジウムとトリメチルガリウムのGaAs半導体上の光分解(北大)
・N_2O分子の光解離で生成するO(^1D)原子の生成ダイナミックス(北大・コ-ネル大)
・Ni(111)表面上からのCO脱離(コ-ネル大)
・Pt(111)表面上のO_2+CO反応(コ-ネル大)
研究分担者の訪米、来日による北海道大学・コ-ネル大学共同研究及び討論の結果、a)レーザー分光法の利用としてはCO分子、b)表面分析法であるESCA分光の利用としてはSiCl_x,GaCl_x分子が本国際共同研究に向いているとの知見が得られた。
さらに、これまでの研究成果を国際会議等で発表し、この研究分野における情報収集を行なった。

Research Products

• [Publications] L.L.Springsteen: "Anisotropy and energy disposal in the 193-nm N_2O photodissociation measured by VUV laser-induced fluorescence of O(^1D)." J.Phys.Chem.97. 7239-7241 (1993)
• [Publications] S.Shogen: "Photodissociation of trimethylindium and trimethylgallium on GaAs at 193 nm studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy." Jpn.J.Appl.Phys.32. 3099-3105 (1993)
• [Publications] K.Tonokura: "Photodissociation of ICl at 235-248 nm." J.Chem.Phys.99. 3461-3467 (1993)
• [Publications] Y.Matsumi: "Dynamics of the reactions of O(^1D) with HCl,DCl,and Cl_2." J.Chem.Phys.98. 8330-8336 (1993)
• [Publications] H.Jiang: "Gas desorption analysis on the surface of ZnO(0001) after hydrogen ion irradiation." Jpn.J.Appl.Phys.32. L806-L808 (1993)
• [Publications] N.Nagashima: "Si K X-ray-absorption spectra of single-crystal Si and amorphous SiO_2." Phys.Rev.B48. 18257-18260 (1993)