1992 Fiscal Year Annual Research Report
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04223102
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉川 明彦 千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (30006283)
垂井 康夫 東京農工大学, 工学部, 教授 (10143629)
岩井 荘八 理化学研究所, レーザ科学研究グループ, 研究員 (40087474)
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| Keywords | 水銀増感光CVD法 / ハイブリッド励起CVD法 / 表面光干渉法 / アトミックレジスト / デュアルビーム法 |
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| Research Abstract |
本研究は、成膜時に光を照射する光CVD法により各種半導体・金属・絶縁膜などの成膜を行ない、光CVD法の基礎メカニズムを解明することを目的として遂行された。その結果、以下に示す研究成果が得られた。
水銀増感光CVD法により得られた超高濃度ドーピング膜の熱アニール特性を説明するために提案した複合欠陥(v-P_4)の妥当性を陽電子消滅法により実験的に確認した。さらに、SiH_2Cl_2を用いたSiの低温エピタキシャル成長を試み、250℃における結晶成長に成功した。
光CVD法により作製したTa_2O_5膜の表面や内部の組成及び結合状態の分析をXPS(X線光電子分光)法を用いて行ない、リーク電流の低減にとって基板のSi原子の拡散が重要であるとの知見を得た。
超LSI配線金属AlCVD技術として、気相中で原料ガスをプラズマ励起し、表面反応促進に紫外線照射を行なう、ハイブリッド励起CVD技術を開発した。さらに、Si表面の水素終端を積極的に利用したアトミックレジストプロセスを提案、Alの極微細線の形成に成功した。
低温成膜した窒化Si膜の高品質化を図るため、エキシマレーザ照射を試みた。その結果、レーザ照射により絶縁特性が改善されることが明らかとなった。
有機金属を用いた光MOMBEにおける、原料ガスの分解過程を観察する新しい手法としてSPI(表面光干渉)法を開発した。その結果、基板であるZnSe中で光誘起された過剰キャリアが表面反応に関与しているとの知見を得た。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] J.P.Simko: "Direct Observation of Self-Limiting Gallium Deposition on GaAs during Laser-Atomic Layer Epitaxial Proccessing" Jpn.J.Appl.Phys.31. L1518-L1521 (1992)
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[Publications] S.Tanimoto: "Investigation on Leakage Current Reduction of Photo-CVD Tantalum Oxide Films Accomplished by Active Oxygen Annealing" J.Electrochem.Soc.139. 320-328 (1992)
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[Publications] K.Tsubouchi: "Selective Aluminum Chemical Vapor Deposition" J.Vac.Sci.& Technol. A10. 856-862 (1992)
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[Publications] Shizuo Fujita: "Photo-assisted metalorganic vapor phase epitaxial growth of wide-gap II-VI semiconductors" J.Cryst.Growth. 117. 67-74 (1992)
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[Publications] K.Shimizu: "High Mobility Poly-Si Thin-Film Transistors Fabricated by a Novel Excimer Laser Crystallization Method" IEEE Trans.Electron Dev.40. 112-117 (1993)
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[Publications] Noriaki Itoh: "Radiation Damage in Non-Metallic Solids under Dense Electronic Excitation" Nucl.Inst.and Methods. B65. (1992)
