1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04223103
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
廣田 栄治 総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
服部 秀三 名古屋産業科学研究所, 電子機器部長 (10023003)
西澤 潤一 東北大学, 学長 (20006208)
伊藤 糾次 早稲田大学, 理工学部, 教授 (90063205)
明石 和夫 東京理科大学, 理工学部, 教授 (00013095)
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| Keywords | 光励起プロセス |
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| Research Abstract |
文部省科学研究費重点領域研究「光励起プロセス」の、3年間にわたる研究が平成5年3月に終了した。そこで本年度は本重点領域の3年間の研究成果の集大成として、本研究成果を外国にも公表すると同時に、広く研究内容を討論することを目的として、国内の関係研究者は勿論、国外のこの分野の研究者にも参加を呼びかけ、下記のように最終報告会を開催した。尚海外からの参加者も多かったので、研究報告等はすべて英語で行った。
日時:平成5年10月13日〜15日の3日間
場所:仙台国際センター
参加国数:10カ国
参加者数:137名(内 国内113名、国外24名)
講演件数:97件
(内 大学70、国公立研究機関11、民間企業16)
Proceedings 用提出論文:81編
(内招待講演11、一般論文70)
研究報告内容は、光励起プロセスの物理、表面反応機構、結晶成長機構、評価法、などの広い範囲にわたっている。最終日には、光励起プロセスの応用分野に焦点を絞って報告会を行った。当日は英文の研究報告概要を作成し、参加者に配布した。また後日、国内・国外の参加者の研究報告ならびに講演内容も含めて約600ページにわたる英文最終報告書をElsevierから出版した。
更に本重点領域研究の成果を、広く一般の方々にも利用していただく意味で本研究成果を骨子とした内容の「光励起プロセスの基礎」と題した成書を、工業調査会から出版した。
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[Publications] Kiyoshi TAKAHASHI: "Photo in duced Oxidation of Ga_2Se_3 by MBE" Jpn.J.A.Phys.31. L887-L889 (1993)
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[Publications] Makoto KONAGAI: "Defect Evaluation of P^+-doped Si Films at Low Temp." Jpn.J.A.Phys.32. 1884-1888 (1993)
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[Publications] Makoto KONAGAI: "Atomic Layer Epitaxy of N-doped ZnSe" J.Elect.Materials. 22. 437-442 (1993)
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[Publications] Akira YAMADA: "Optimization of ZnO Films for a・Si Solar Cells" Jpn.J.A.Phys.32. 3764-3769 (1993)
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[Publications] Makoto KONAGAI: "Self-Limiting Growth of Zn Chalcogenides" Thin Solid Films. 222. 256-260 (1993)
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[Publications] Kiyoshi TAKAHASHI: "Atomic Layer Epitaxy of ZnSe on GaAs by MBE" J.Crystal Growth. 116. 283-288 (1992)
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[Publications] 高橋 清 他: "光励起プロセスの基礎" 工業調査会, 350 (1993)
