1992 Fiscal Year Annual Research Report
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04227104
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高柳 邦夫 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (80016162)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
一宮 彪彦 名古屋大学, 工学部, 教授 (00023292)
木村 嘉伸 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (60225076)
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| Keywords | 表面変性エピタクシー / シリコン表面の成長 |
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| Research Abstract |
Si(111)7x7表面にSnを原子層付着させ、表面を√3×√3構造に代えて、その上にSiを蒸着させたときの成長過程を超高真空・高分解能電子顕微鏡法で"その場"観察した。基板温度を変えたときの成長の記録から、ステップの間隔とステップ成長速度、ならびに核形成の有無や核密度の関係を調べた。それらの成長を理論的に解析し、変性エピタクシーの機構を論じた。変性エピタクシーで、Siの島成長が抑えられる理由は、Si原子の臨界核サイズが大きくなるためであることが分かった。臨界核サイズが大きくなる物理的理由は、変性エピタクシーではSi表面を覆う金属膜中の金属原子とその上に核形成した蒸着Si原子とが位置の組み替えを行なうが、その際の金属原子が表面の最上層に偏析する過程で相当の活性化エネルギーが必要とされるためではないかと推定している。
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[Publications] A.Shibata,Y.Kimura,K.Tarayanagi: "On the restructured Layer of the si(111)√3×√3-Ag structure studied by scanning tunneling microscopy" Surface Sci.Lett.275. L697-L701 (1992)
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[Publications] T.Nakayama,Y.Tanishiro,K.Takayanagi: "Heterogrowth of Ge on Si(001)2×1 reconstructed surface" Surface Sci.273. 9-20 (1992)
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[Publications] A.Shibata,Y..Tanishiro,K.Takayanagi: "Si(111)√3×√3-Au growing on a 7×7 surface" Surface Sci.273. L430-L434 (1992)
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[Publications] S.Iwanari,K.Takayanagi: "Surfactant Epitaxy of Si on Si(111) Mediated by Sn" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1978-L1981 (1991)
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[Publications] S.Iwanari,K.Takayanagi: "Surfactant epitaxy of Si on Si(111) surface mediated by a Sn Layer I." J.Cryst Growth. 119. 229-240 (1992)
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[Publications] S.Iwanari,Y.Kimura,K.Takayanagi: "Surfactant epitaxy of Si on Si(111) surface mediated by a Sn layer II." J.Cryst Growth. 119. 241-247 (1992)
