1992 Fiscal Year Annual Research Report

原子スケール利御薄膜・表面

Research Project

Project/Area Number	04352018
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	金原粲東京大学, 工学部, 教授 (90010719)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	河津璋東京大学, 工学部, 教授 (20010796) 坪内和夫東北大学電気通信研究所, 助教授 (30006283) 冷水佐壽大阪大学, 基礎工学部, 教授 (50201728) 長谷川英機北海道大学, 工学部, 教授 (60001781) 津田穰千葉大学, 薬学部, 教授 (90009506)
Research Abstract	物質の性質を徴視的レベルで解明しようとする基礎的観点と、電子デバイスの徴小化という応用的観点から、原子スケールで制御された薄膜・表面を実現するための、原子レベルでの形成の素過程の解明、物性評価、制御技術の確立の必要性が認識され、このような徴視的構造を実現したときに発現するであろう新しい物性とそれらの積極的応用を目指す研究が盛んになりつつある。本研究においては、このような問題に重点研究として取り組み、この課題を効率よく解決するために以下のような企画・調査、研究会を開催した。これらの成果に基づき「シングルエレクトロンデバイスと原子スケール制御」なる課題を選択して、重点領域研究の申請を行った。研究連絡会議:今後の調査・研究の取り組み方進め方に関しての相談を行った(平成4年6月29日、東京大学山上会館) 研究打ち合せ会:重点領域としての準備の進め方、テーマに関しての打ち合せを行った。(平成4年9月4日、東京大学工学部) 原子スケール制御薄膜・表面シンポジウム:関西大学で行われた応用物理学会の期間中シンポジウムを開催し、成長の素過程の原子レベルでの研究など9件の報告がなされ、活発な議論が交わされた。(平成4年9月17日関西大学) 研究連絡会議:重点領域研究申請のための具体的な話合いを行った。(平成5年1月14日、東京大学工学部)研究連絡会議および研究会:重点領域研究申請書の作成に関する打ち合せ、作業を行い、新しい電子デバイスに関する研究会が行われた。(東京大学工学部、平成5年1月26日)

Research Products

(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] 金原粲: "Effects of Different Pretreatments on the Surface Structure of Silicon and the Abhesion of Metal Films" J.Vac.Sci.Technol.A. 10. 3166-3170 (1992)
[Publications] 津田穰: "Elementary Processes of Surface Reaction in Amorphous Silicon Film Growth" Appl.Sur.Sci.60/61. 29-38 (1992)
[Publications] 津田穰: "Mechanism of the Step Growth of Diamond Crystals with Carbon Atoms(I)Epitaxial Growtn of(001)Surfaces with Carbon Atoms in the Lowest Singlet State 1D" J.Electrochem.Soc.139. 1482-1489 (1992)
[Publications] 長谷川英機: "Control of Surface and Inteface Fermi Level Pinning for compod Semiconductor Nanometer Scale Structures" presented The 1st Int.Workshop on Quantum-Effect Physics,Electronics and Applications,Luxor(Egypt). (1992)
[Publications] 河津璋: "Structural Stnkies of Al/Si(III)Surfaces by LEED" Surface Science. 269/270. 995-999 (1992)
[Publications] 坪内和夫: "Selective Aluminum Chemical vapor Deposition" J.Vac Sci&Technol. A10(4). 856-862 (1992)

1992 Fiscal Year Annual Research Report

原子スケール利御薄膜・表面

Principal Investigator

金原 粲 東京大学, 工学部, 教授 (90010719)

Research Products

[Publications] 金原 粲: "Effects of Different Pretreatments on the Surface Structure of Silicon and the Abhesion of Metal Films" J.Vac.Sci.Technol.A. 10. 3166-3170 (1992)

[Publications] 津田 穰: "Elementary Processes of Surface Reaction in Amorphous Silicon Film Growth" Appl.Sur.Sci.60/61. 29-38 (1992)

[Publications] 津田 穰: "Mechanism of the Step Growth of Diamond Crystals with Carbon Atoms(I)Epitaxial Growtn of(001)Surfaces with Carbon Atoms in the Lowest Singlet State 1D" J.Electrochem.Soc.139. 1482-1489 (1992)

[Publications] 長谷川 英機: "Control of Surface and Inteface Fermi Level Pinning for compod Semiconductor Nanometer Scale Structures" presented The 1st Int.Workshop on Quantum-Effect Physics,Electronics and Applications,Luxor(Egypt). (1992)

[Publications] 河津 璋: "Structural Stnkies of Al/Si(III)Surfaces by LEED" Surface Science. 269/270. 995-999 (1992)

[Publications] 坪内 和夫: "Selective Aluminum Chemical vapor Deposition" J.Vac Sci&Technol. A10(4). 856-862 (1992)

金原粲東京大学, 工学部, 教授 (90010719)

[Publications] 金原粲: "Effects of Different Pretreatments on the Surface Structure of Silicon and the Abhesion of Metal Films" J.Vac.Sci.Technol.A. 10. 3166-3170 (1992)

[Publications] 津田穰: "Elementary Processes of Surface Reaction in Amorphous Silicon Film Growth" Appl.Sur.Sci.60/61. 29-38 (1992)

[Publications] 津田穰: "Mechanism of the Step Growth of Diamond Crystals with Carbon Atoms(I)Epitaxial Growtn of(001)Surfaces with Carbon Atoms in the Lowest Singlet State 1D" J.Electrochem.Soc.139. 1482-1489 (1992)

[Publications] 長谷川英機: "Control of Surface and Inteface Fermi Level Pinning for compod Semiconductor Nanometer Scale Structures" presented The 1st Int.Workshop on Quantum-Effect Physics,Electronics and Applications,Luxor(Egypt). (1992)

[Publications] 河津璋: "Structural Stnkies of Al/Si(III)Surfaces by LEED" Surface Science. 269/270. 995-999 (1992)

[Publications] 坪内和夫: "Selective Aluminum Chemical vapor Deposition" J.Vac Sci&Technol. A10(4). 856-862 (1992)