1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04402018
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| Research Institution | Gakushuin University |
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Principal Investigator |
小川 智哉 学習院大学, 理学部, 教授 (50080437)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
楢岡 清威 学習院大学, 理学部, 客員研究員
馬 敏雅 学習院大学, 理学部, 助手 (60255263)
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| Keywords | Light Scattering / Defects in Crystals / Semiconductors / Characterization |
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| Research Abstract |
チョクラルスキー法で育成したシリコン結晶(Cz-Si)の酸素含有量は、融点温度に於ける酸素の飽和濃度に近い。このため融点より低い温度で熱処理すると酸素関連微粒子が結晶内に発生する。したがって、Czシリコンから切り出したウエハーを素子基盤として用いる際には、酸素関連微粒子の発生と結晶内分布を制御し、ウエハーに付加すべき不可避の機能であるintrinsic getteringが有効に作用にするようにしなければならない。この目的を達成するためには、これらの微粒子の結晶内分布を『非破壊・非接触で定量的に計測』する必要がある。この要請に応えるため、赤外線散乱トモグラフィーを開発し、基礎データーを報告してきた。この赤外線散乱トモグラフィーの有効性は次第に認められ、酸素関連微粒子を測定する手段として普及した。
半導体ウエハーの表面直下にある欠陥と界面構造は、ウエハー上にエピタクシャル成長する単結晶の品質を左右する半導体工学で最も大切事項である。この表面直下にある欠陥の検出と界面構造を解析するために、波長可変Brewster角照明による評価法を考案した。
この科学研究費で購入した波長可変チタン・サイファイヤー・レーザーは、この計測の基礎をなす装置で、これを用いて基礎データの蓄積に努力した。また、成果の一部はJ.Materials Research 8(1993)2889-2892とMaterials Science & Engineering B 20(1992)172-174に発表した。
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[Publications] 小川智哉: "Effect of surface structures upon ulta-thin interference fringes" J. Materials Reearch. 8. 2315-2318 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Characterization of dielectric crystals by light scattering tomography" Ferroelectronics. 142. 19-29 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Nucleation and growth of oxide precopitates in CZ-Si wafers" J.Materials Research. 8. 2889-2892 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "A phenomenological study on crystal growth from aqueous solution" Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 25. 51-101 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Optical characterization of silicon wafers for ULSI" Materials Science & Engineering B. 20. 172-174 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Characterization of extremely thin epitaxial layers and films by new interference fringes" J.Materials Research. 7. 2182-2185 (1992)
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[Publications] 小川智哉 編著: "朝倉書店" 結晶評価技術ハンドブック. 1092 (1993)
