1993 Fiscal Year Annual Research Report
スピン偏極したヘリウム準安定原子による表面最外層と吸着層の磁気的秩序の解明
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04452091
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| Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
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Principal Investigator |
西垣 敏 九州工業大学, 工学部, 教授 (60126943)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 健二 石川工業高等専門学校, 助手 (50249778)
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| Keywords | 準安定原子脱励起分光 / ヘリウム準安定原子 / 表面電子状態 / スピン偏極 / スピン分解電子分光 / 半導体表面 |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、スピン偏極したヘリウム準安定原子ビーム源を開発すること、及びこれを表面最外層の磁気的性質の検出へ応用することである。代表者の転任が研究初年度と重なったため、実質的スタートが当初の計画より遅れた。本年度の研究実施概要は以下の通りである。
1.高輝度ヘリウム準安定原子源の開発:
ホローカソード/ノズル/スキマー間の冷陰極放電型の準安定原子銃を製作した。現在、安定動作条件を見いだすための放電試験を行っている。
2.ヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化:
ヘリウム準安定原子のうち三重項状態の原子の電子スピンを空間的に偏極させるために、He2^3S→2^3P遷移に対応する光を円偏光の形でビームに照射しなければならない。本年度は140MHzの高周波無極放電でHe放電光を取り出す試験を行った。来年度前半には直線偏光+1/lambda板によって円偏光を得る予定である。
3.準安定原子脱励起分光装置(既設)による表面最外層電子状態の研究:
本年度はGe(100)表面上のCs吸着及びそれへの酸素の共吸着系を取り上げ、表面に於ける局所電子状態密度と酸素吸着活性との相関を、Si(100)の場合と比較しながら研究した。Ge表面でも既吸着Cs6s状態から外来O2p軌道への電子移行を検証できた。酸化Ge表面上へのCs吸着では、しかしSiの場合とは全く異なる結果を得た。表面最外層のGe-O結合状態及び吸着Csが酸素分子の解離に果たす役割を明らかにする実験を準備中である。
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