全エピタキシャル金属/絶縁体積層構造形成とデバイスの研究

1994 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04452202
• Research Institution: KYOTO UNIVERSITY
• Principal Investigator: 山田 公 京都大学, 工学部, 教授 (00026048)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 松尾 二郎 京都大学, 工学部, 助手 (40263123) ; 高岡 義寛 京都大学, 工学部, 助教授 (90135525)
• Keywords: ICB / エピタキシャル成長 / 真空一貫プロセス / Al / Al_2O_3積層構造 / 量子効果デバイス / 共鳴トンネルデバイス / トンネル電流

Research Abstract

本研究担当者らは、これまでに格子不整が25%以上もある種々の異種材料の組み合わせでICBを用いて室温で金属薄膜等が半導体基板上にエピタキシャル成長することを明らかにしてきた。また、半導体基板上に全エピタキシャル金属/絶縁体からなる積層構造を真空一貫プロセスで構築した。さらにエピタキシャル絶縁薄膜の成長層の厚みを変化させ、電流・電圧特性を調べ、電子デバイス作成の基本的データを求めるとともに、計算機実験による理論的考察を行い、量子効果デバイス作製の基礎的データを得た。
平成6年度は本研究の最終年度であり、これまでに得られた異種材料の積層エピタキシャル成長を総合的に検討し、共鳴トンネルデバイスを形成した。具体的には、Si基板や形成したAl及びサファイア薄膜の表面状態をSTM観察し、表面・界面が原子レベルで平坦であることを明らかにした。また、Si(111)基板上にAl/Al_2O_3/Al構造のエピタキシャル成長を行い、その電流電圧特性を測定し、Al_2O_3層が数原子層の場合、トンネル電流が支配的であることを明らかにした。さらに、Al/Al_2O_3積層構造を用いた3重障壁共鳴トンネルダイオードについて構造設計を行い、電流電圧特性の実験結果や理論計算から量子効果デバイスとして優れた特性が期待できることを明らかにした。

Research Products

• [Publications] I.Yamada: "Irradiation Effects of Ar-Cluster Ion Beams on Si Surfaces." Materials Research Society Symposium Proceedings. 316. 1005-1010 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Molecular Dynamics Simulation of the Effects of Energetic Cluster Ion Impact on Solid Surface" Materials Research Society Symposium Proceedings. 316. 999-1004 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Low Temperature Epitaxial Growth of Tio_2 Rutile Films by ICB Deposition and Mechanical Properties in Helium Implanted" Materials Research Society Symposium Proceedings. 316. 905-910 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Mechanical Behavior of Single Crystal Al(111) and Bicrystal Al(110) Films on Silicon Substrates" Materials Research Society Symposium Proceedings. 343. 659-664 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Ionized Cluster Beam Techniques for Film Formation" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 125-131 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Low Temperature Growth of Epitaxial and Highly Oriented Tio_2 Rutile Films by ICB" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 271-274 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Epitaxial Growth of Metal-Insulator-Metal Structures on Si(111) Substrates" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 247-250 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Epitaxial Al Films Grown on Heavily Doped Si(100) Surfaces by ICB Methods for Fabricating ULSI Contacts" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 255-258 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "STM Observations of the Initial Growth Processes of Metal Thin Film" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 263-266 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Characteristics of Polyimide Prepared by Ion Beam Assisted Vapor Deposition" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 251-254 (1994)
• [Publications] I.Yamada: "Irradiation Effects of Gas-Cluster Ar Ion Beams on Solid Surfaces" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 119-122 (1994)
• [Publications] 山田公: "ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用" 真空. 37. 923-928 (1994)