1993 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
04555006
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Research Institution | Gakushuin University |
Principal Investigator |
小川 智哉 学習院大学, 理学部, 教授 (50080437)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
楢岡 清威 学習院大学, 理学部, 客員研究員
馬 敏雅 学習院大学, 理学部, 助手 (60255263)
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Keywords | Interference Fringes / Diffraction / Surface Roughness / Integrated Circuits / Liquid Crystal Display / Device Technology |
Research Abstract |
現代の電子工学に不可欠な半導体集積回路や液晶表示素子(LCD)は、基盤面上に二次元的に素子を作り付けなければならない。このようなデバイスでは、基盤と素子間の整合性が品質を左右する最も大切な要素となる。この問題を解決するめには素子と基盤との界面に存在する『荒れ』を非接触・非破壊で計測しなければならない。とくに、LCD素子の場合、液晶分子を一定方向に配列される手段として、ガラス基盤にバフをかけて基盤に細かい傷をつけているが、この工程は経験と勘を基本としたノウハウの塊と言っても過言ではない。その理由は、この超微細な傷(表面の『荒さ』)を計測する有効な手段が無いためである。 この超薄膜干渉縞はこのようなガラス基盤上の超微細な傷やウエハー上にエピタクシャル成長した単結晶の品質を左右する界面構造を解析するのに最適であった。しかし、干渉縞の成因には照明レンズでの回折に基因する所が多大であることが実験的に確認された。目下、この回折により生ずる干渉縞の定量化・数式化について、理論と実験との両面から検討している。 また、超薄膜干渉縞を用いた『荒さ』計測の確立を目指して努力している。この間に得られた成果はJ.Materials Research Vol.7(1992)2182-2185,ibid Vol.8(1993)2315-2318に報告した。
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[Publications] 小川智哉: "Effect of surface structures upon ulta-thin interference fringes" J.Materials Reearch. 8. 2315-2318 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Characterization of dielectric crystals by light scattering tomography" Ferroelectronics. 142. 19-29 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Nucleation and growth oxide precopitates in CZ-Si wafers" J.Materials Research. 8. 2889-2892 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "A phenomenological study on crystal growth from aqueous solution" Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 25. 51-101 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Optical characterization of silicon wafers for ULSI" Materials Science & Engineering B. 25. 172-174 (1993)
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[Publications] 小川智哉: "Charaterization of extremely thin epitaxial layers and films by new interference fringes" J.Materials Research. 7. 2182-2185 (1992)
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[Publications] 小川智哉 編著: "朝倉書店" 結晶評価技術ハンドブック. 1092 (1993)