1992 Fiscal Year Annual Research Report
酸化物ヘテロエピタキシを用いる低温動作・極限高速光変調器の試作研究
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04555070
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
小林 猛 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (80153617)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
橋口 正一 住友セメント中研, 研究員
渋谷 恭一 住友セメント中研(研究者), 副参与
藤井 龍彦 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (40238530)
作田 健 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (70221273)
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| Keywords | LiNbO_3 / 光変調器 / ヘテロエピタキシ / ArFエキシマレーザ / レーザーアブレーション / YBCO |
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| Research Abstract |
酸化物ヘテロエピタキシを用いた低温動作・極限高速光変調器の試作のため、まず単体でヘテロエピタキシャル成長するかどうかの確認を行った。
まず最初にLiNbO_3単結晶基板上へのYSZ薄膜の作製を行った。成膜にはダイオードスパッタリング装置を用いた。成膜条件を変えることにより最適条件を決定した。X線回折測定及びRHEED観察より、得られたYSZ薄膜はLiNbO_3基板にエピタキシャル成長していることが確認された。
次にYSZ基板上にYBCOを成膜し、その成膜条件の最適化を行った。成膜には高圧マグネットロンスパッタリング法とエキシマレーザーアブレーション法の2通りを用いた。前者は我々が開発した方法で、作製したYBCOは常に88〜90Kの高い臨界温度が得られる。後者は近年酸化物に多く用いられるようになったものである。現有の装置は波長193nmのArFエキシマレーガーを用いており、4種類の異種材料がin-situで連続成膜可能である。得られたYBCO薄膜はいずれもエピタキシャル成長していることがX線回折、RHEED視察から確認された。また臨界温度もそれぞれ88〜90K,86〜88Kと高い値を示しており良好な超伝導エピタキシャル膜が作製されている。
現在はYSZ薄膜とLiNboO_3薄膜の作製をエキシマレーザーアブレーション法により行っている。両者とも、細かい条件出しはまだであるが、エピタキシャル膜は得られている。
今後は、上述の膜を連続成膜し、光変調器の素子形状を組み上げ、諸持性の測定を行う予定である。
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