1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04555085
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
今井 茂 東京工業大学, 工学部, 助手 (40223309)
内田 恭敬 西東京科学大学, 理工学部, 助教授 (80134823)
杉浦 修 東京工業大学, 工学部, 助教授 (10187643)
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| Keywords | エキシマレーザ / レーザ結晶化 / 多結晶シリコン / 原子層成長 / シリコン / ゲルマニウム / 原子状水素 |
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| Research Abstract |
レーザ溶融法では、溶融Si膜からの熱流失を徹底的に抑制することを目指して、SiO_2メンブレン上に堆積したSi簿膜を溶融した。成膜条件とレーザー照射条件を最適化すれば、幅が数μmで長さが数十μmの超巨大粒径Si膜が実現できることを示した。またこの膜は、水素で粒界の未結合手を終端しなくても、450cm_2/Vs程度と高い電子移動度を持つ高品質膜であることを確認した。
原子層成長法については、白熱したタングステンフィラメントによって水素分子を乖離させて、原子状水素をえた。この原子状水素とジクロロシラン(SiH2C12)の交互供給によって基板温度約600℃にて1原子層/サイクルの理想的な成膜速度のSiホモALEを実現した。この手法をGe基板に応用して、数サイクルの成膜後、XPSやAESにて表面付近の組成を調べて、急峻界面を持つヘテロALEが実現できたことを確かめた。また、原料をGeH2(CH3)2に変えれば、GeのホモALEも可能であることを確かめた。Si基板を用いてヘテロALEを試みたが、表面に大量のカーボンが検出されることより、ヘテロALEのGe第一層形成には、特別の工夫が必要であることも判った。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] 今井 茂他: "Atomic Layer Epitaxy of Germanium using Atomic Hydrogen" Abstracts of Electronic Material Conf.52 (1993)
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[Publications] 今井 茂他: "Atomic Layer Epitaxy of Silicon" Materials and Manufacturing Processes. (印刷中). (1994)
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[Publications] 今井 茂他: "Atomic Layer Epitaxy of Silicon by Gas Confinement Method" Proc.IUMRS-ICAM-93. (印刷中). (1994)
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[Publications] 今井 茂他: "Atomic Layer Epitaxy of Si Using Atomic H" Thin Solid Films. 225. 168-172 (1993)
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[Publications] 菅原 聡他: "Electronic Structures of S-Based Manmade Crystals" Japan Journal of Applied Physics. 32. 384-388 (1993)
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[Publications] D.H.Choi 他: "Lateral Growth of Poly-Si Film by Excimer Laser" Japan Journal of Applied Physics. 70-74 (1994)
