1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04558002
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
菅井 秀郎 名古屋大学, 工学部, 教授 (40005517)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中村 圭二 名古屋大学, 工学部, 助手 (20227888)
豊田 浩孝 名古屋大学, 工学部, 講師 (70207653)
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| Keywords | 表面磁場 / アンテナ電磁界 / 永久磁石 / 誘導型RF / 高周波プラズマ / 大口径プラズマ / シリコン・エッチング / ITO薄膜 |
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| Research Abstract |
永久磁石を容器壁のまわりに多数配置してつくる表面磁場は強い不均一性をもつ複雑な系であるため、これまでほとんど理論的解析がなされていなかった。今年度我々はモンテカルロ・シミュレーションを行って、表面磁場による電子の閉じ込め効果を定量的に評価することに成功した。
高周波誘導コイルを用いるRF放電においては、アンテナ近傍の誘導電界だけでなく静電界も重要な働きをするという推論のもとに、それらの実測を行った。その結果、予想通りにアンテナ近くに強い静電界が発生してイオンを加速し、壁をたたいて不純物を出すなどの悪影響を与えることが分かった。さらに、ファラデーシールドを行うことにより、静電界を除けることを実証した。
最後に、開発中の誘導結合型RFプラズマを用いてシリコンおよびITO(Indium-Tin-Oxide)薄膜のエッチングを試行し、エッチング速度、選択比などについて有望なデータが得られた。
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[Publications] H.Sugai 他4名: "Plasma-Assisted Surface Modification and Radical Diagnostics" Journal of Nuclear Materials. 200. 403-411 (1993)
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[Publications] Y.Hikosaka 他2名: "Spatial Distribution and Surface Loss of CF_3 and CF_2 Radicals in a CF_4 Etching Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L353-L356 (1993)
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[Publications] Y.Hikosaka 他2名: "Drastic Change in CF_2 and CF_3 Kinetics Induced by Hydrogen Addition into a CF_4 Etching Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L690-L693 (1993)
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[Publications] Y.Hikosaka,H.Sugai: "Radical Kinetics in a Fluorocarbon Etching Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 336-337 (1993)
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[Publications] T.Shirakawa,H.Sugai: "Plasma Oscillation Method for Measurements of Absolute Electron Density in Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 5129-5135 (1993)
