高品質超伝導体を用いた極低温トンネル接合放射線検出器

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04558030
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 石橋 健二 九州大学, 工学部, 助教授 (00159766)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高田 進 電子技術総合研究所, 電子デバイス部, 室長
• Keywords: アルミニウム / 鉛 / 超伝導トンネル接合 / X線 / 放射線 / フォリソグラフィー

Research Abstract

本年度は、フォトリソグラフィー法のためのフォトレジスト露光装置、フォレジスト塗布用スピンナー、水晶発振式膜厚計、およびスパッタクリーニング用RF電源等を購入し、これらを九州大学工学部に設置した。一方、現有の真空装置を整備し、その内にスパッタクリーニング・蒸着用の装置を製作した。
研究の初年度であるため、これらの装置の基本的性能の把握に努めた。これには、スピンナーによる回転速度とフォトレジスト膜の厚さの相関を実験的に調べ、次に、蒸着装置における蒸着膜の膜厚成長速度の実験的確認を行った。本研究では、フォトリソグラフィー法によるリフトオフプロセスに注目した。実験では、まず、シリコンウェファー上にスピンナーでフォトレジストを塗布した。このフォトレジスト膜の上に露光装置によりフォトマスクパターンを露光し、次にこれを現像しフォトレジストパターンを形成した。真空装置内で、このパターニングしたシリコンウェハー上に鉛を蒸着した。これを取り出し、溶剤でフォトレジストを溶解(リフトオフ)し、最後に超音波洗浄しフォトレジストパターン上の鉛を取り去った。このようにして、シリコンウェハー上に鉛のパターン(逆パターン)を作成した。このプロセスは予定通り行えることが実験的に確認できた。
今のところ、必要な部品が揃っておらずスパッタクリーニングについては動作を確認できていない。また、現在の露光装置にあわせたフォトマスクが揃っておらず、実際の素子の製作には至っていない。