1992 Fiscal Year Annual Research Report
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04559008
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
菅 滋正 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (40107438)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉田 能英 島津製作所東京支社(研究者), 課員
銭谷 福男 島津製作所東京支社(研究者), 専門課長
今田 真 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (90240837)
大門 寛 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (20126121)
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| Keywords | 逆光電子分光 / フェルミ準位 / 非占有状態 / BIS / 角度分解逆光電子 |
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| Research Abstract |
安定性の点からCu-BeOカソードの光電子のしきい値立ち上がりを低エネルギーカットに使用し,高エネルギーカットの窓材としてはSrF_2を用いる事とした.量子効率(感度)を高めるために従来はKBrをカソードに蒸着していたがこの場合解能は約0.5-0.7eVとなる.ここでKBrのかわりにKC1を蒸着すると分解能は0.4-0.5eVとなる.本計画では後者に改良を加える事とした.まず窓材の高エネルギーカットオフ(それは励起子吸収端に当たる)をわずかに変えるためにLiFとNaFとの混晶を作り東大物性研のSOR-RINGからの放射光を用いて真空紫外領域での吸収測定を行った.しかしLiFに比べて吸収端がシフトするだけでなく形状も異なる事より本目的を満足しない事が判明した.次にSrF_2の温度を変えて吸収端近傍の測定を行ったところ,ほぼリジッドにスペクトルがシフトする変化が得られ我々の目的を満足する事が分かった.摂氏20度-100度で約0.2eVのシフトである.ここで光カソード特性を掛け合わせてできた検出器としてのバンドパス特性は低いエネルギー側ではほとんど同であるのでSrF_2温度を変えて測定した2つの透過スペクトルの差をとることでエネルギー分解能0.2eVを実現できたことは新しい成果である.
励起電子線源としてBaO傍熱型カソードを使用する限りエネルギー幅は0.25eVを下回る事は難しい.唯一考えられるのは負電子親和力光カソードの利用である.p型GaAs表面をArイオンエッチングで清浄化しCsをごく微量蒸着しO_2処理した表面を半導体レーザーで照射する事により光電子ビーム安定に供給する電子線源を製作しテスト中である.
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[Publications] 菅 滋正: "BIS Spectra of L_4X_3(L:Ce,Sm,Yb,and X:As,Sb,Bi),Ce(Pb_<1->x Cux)_3 and Related Conpounds" Jpn.J.Appl.Phys.8. 81-84 (1993)
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[Publications] S.Oh: "Photoemisson and BIS Study of Ce_4Bi_3 and CeBi_<0.7> Teo_<0.3>" Solid State Commun.82. 581-586 (1992)
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[Publications] 木村 昭夫: "Unoccupied Electronic States and Exchange Splitting of M_2As(M=Cr,Fe,Mn)and Mn AlGe" Solid State Commun.(1993)
