1994 Fiscal Year Annual Research Report
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04559008
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
菅 滋正 大阪大学, 基礎工学部 (40107438)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉田 能英 島津製作所, 東京支社, 課員(研究者)
銭谷 福男 島津製作所, 東京支社, 専門課長(研究者)
今田 真 大阪大学, 基礎工学部・教授, 助手 (90240837)
大門 寛 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (20126121)
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| Keywords | IPES / vuv / スピン偏極 / NEAカソード / 高分解 / 非占有状態 |
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| Research Abstract |
昨年度から引き続いて装置改良を行った。まず表面構造解析用に三枚グリッドのLEED装置(低速電子線回折)を導入した。構造のみでなく表面の元素分析(清浄性チェック)を行う必要性からグリッド電圧に交流バイアスをかけてロックインアンプを用いてオ-ジエ電子分光ができるようにした。コンピューターコントロールでデーター処理ができるようになった。ついでNEAカソード寿命を改善するため真空系を改良した。NEGポンプを設置しかつ主チェンバーリ-ク時でもバルブによって真空に保持する事とした。また主排気系のイオンポンプを超高真空でも排気速度の維持できるタイプのものに変更した。この結果到達真空度は1x10^<-10>Torrに達した。またNEAカソードとして使用するGaAsの大気中での化学処理法を開発し、光電子が従来より出易くする事ができた。またGaAs表面は真空中でArイオンボンバードによってクリーニングを行いついで融点直下まで昇温してアニーリング再結晶化を行う。しかしながらその後冷却するまではNEA化のためのCsを吸着する事ができないために清浄表面が汚れる問題があった。そこでGaAsホルダーを速やかに冷却できるよう液体窒素クライオスタットを取り付けた。寿命を決めているもう一つの要因は電子レンズの透過率であろう。つまりGaAsカソードからの光電子のうちこれまでは約20%程度しか電子レンズを透過してないことが判明した。そのため加速された光電子がレンズ壁にあたり電子線刺激イオン脱離を誘起しているためと考えられた。本年度は電子レンズ引き出し電極の改造やレンズ電圧設定の調整を行い最高80%普通でも50%の透過率を得るのに成功した。そのほか試料に異方性を与えるための磁化コイルの開発を行った。以上の改良によりほぼシステムとして完成したものと思われる。なお検出器自身については光電子増倍管のCu-BeO光カソードの表面にKC1を2000A蒸着する事で全半値幅を0.4eVとできるがさらにSrF_2の温度を換えた2測定の差分より全半値幅0.25eVでの測定ができる事をPd薄膜について実証した。
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[Publications] 菅 滋正: "Photoemission,x-ray absorption,and inverse-photoemission studies of Sm_3Se_4" Phys.Rev.B. 51. 2061-2067 (1995)
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[Publications] 藤沢正美: "Electronic structures of CuFeS_2 and CuAl_<0.9>Fe_<0.1>S_2 studied by electron and optical spectroscopies" Phys.Rev.B. 49. 7155-7164 (1994)
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[Publications] 米沢卓也: "Adsorption and Desorption processes of CL on a・Si(111)7×7 Surfaces" Appl.Surface Sci.79/80. 95-99 (1994)
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[Publications] 坂本一之: "Photoemission study of the Si(111)3×1 K Surface" Phys.Rev.B. 50. 1725-1732 (1994)
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[Publications] 奥田太一: "Surface and bulk core level shifts of Si(111)3×1-Na and Si(111)δ7×7-Na surface" Surf.Sci.321. 105-110 (1994)
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[Publications] 坂本一之: "Electron-stimulated desorption(ESD)of the O_2/Si(111)Surface" Surf.Sci.306. 93-98 (1994)
