アモルファス合金(Hf,Ta)Fe_2における遍歴型電子磁性の研究

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04640319
• Research Institution: Muroran Institute of Technology
• Principal Investigator: 村山 茂幸 室蘭工業大学, 工学部, 助教授 (10157802)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高野 英明 室蘭工業大学, 工学部, 助教授 (70154804) ; 保志 賢介 室蘭工業大学, 工学部, 教授 (00002866)
• Keywords: アモルファス合金 / 遍歴型電子磁性 / メスバウア効果 / 電気抵抗 / スパッタリング

Research Abstract

1.東北大学金研所有の高速直流スパッタリング装置を用いてアモルファス合金(Hf,Ta)Fe_2を作成した。
2.作成された試料の組成分析が蛍光X線解析法により行われ、またX線回析法によりアモルファス相の実現が確認された。
3.4.2K<T<300Kで磁化とメスバウア効果の測定が行われた。その結果、この合金のアモルファス相は強磁性で、結晶相で見られる強磁性と反強磁性の競合的性質は観測されず、Ta濃度xとともに強磁性モーメント、キュリー温度、常磁性モーメント及びワイス温度とも連続的に減少することが分かった。強磁性モーメント対常磁性モーメントの比とキュリー温度との関係や磁化の磁場依存性から、典型的な遍歴電子型強磁性金属の特徴が良く示された。メスバウア効果から得られた内部磁場は広く分布し、局在モーメントの大きさはFeの原子位置に依存して大きく異なることが示された。従って、遍歴電子系と言えどもアモルファス相特有の局所環境効果がその磁性に重要な役割を果たしていると考えられる。
4.2K<T<300Kで交流法による電気抵抗及び磁気抵抗が測定された。その結果、電気抵抗の温度変化や磁場変化は磁化の値の自乗にほぼ比例して変化することが見いだされた。
5.三端子容量法とゲージ法による熱膨張測定装置とクライオスタットが作成され、その予備データーが得られた。今後、熱膨張や比熱の測定を行い、このアモルファス合金の磁性と熱的性質との関わりを明らかにする。

Research Products

• [Publications] S.Murayama: "Electrical Resistivity of Amorphous Hf_<1-X> Ta_X Fe_2 Alloys" J.Magn.& Magn.Mater.104-107. 95-96 (1992)
• [Publications] S.Murayama: "Magnetic and Mossbauer Study of Sputtered Amorphous Alloys Hf_<1-X> Ta_X Fe_2" J.Phys.Soc.Jpn.61. 3699-3707 (1992)