1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04650008
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| Research Institution | THE UNIVERSITY OF TOKYO |
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Principal Investigator |
目良 裕 東京大学, 工学部, 助手 (40219960)
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| Keywords | 走査トンネル顕微鏡 / 表面光起電力 / DLTS / 表面準位 / 空乏層 |
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| Research Abstract |
我々は今年度、半導体表面への光照射により誘起される光起電力(SPV)を、半導体の深い準位の電気的測定方法として広く普及しているDLTS法におけるパルス印加電圧として用い、走査トンネル顕微鏡(STM)測定装置の上でSPV測定を行うことにより、STMの特徴である高分解能・非接触・局所性等をDLTS測定に導入することを目的に、現有の自作STM装置にハードウエア・ソフトウエアの両面で改良を加え、光照射を可能にし、SPVをSTM測定と同時に測定可能にする回路を新たに設計・開発した。
試料としてn型のGaAsを用いた大気中での予備実験によれば、通常のショットキー接合でみられるSPV波形と同様、STMのトンネル電流は間欠的な光照射に応じてSTM回路の時定数より十分速い過渡応答を示した。今後は適切な試料を用い、超高真空中への装置の導入、及び定量的な評価を行う予定である。
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