1993 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
04650017
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Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
Principal Investigator |
森川 浩志 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (90024314)
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Keywords | 電界イオン顕微鏡 / 真空蒸着 / 薄膜成長 / エピタクシー / タングステン / 銅蒸着膜 |
Research Abstract |
原子の分解能をもつ電界イオン顕微鏡(FIM)を用いて真空蒸着膜の微細構造を観察しその成長過程を明らかにすることを目指した。特に、1.あらかじめ成膜された真空蒸着膜を観察するという従来の方法とともに、2.FIM中でティップに"その場"蒸着しながらその成長過程を観察・記録し、蒸着膜成長に対する基礎データを得ることを目的とした。この目的を達成するに、本年度は放射温度計を導入し蒸着源の温度を真空装置の外から光により測定し蒸着速度を制御できるよう改善し、また輝度の低い像の撮影のため高感度ビデオカメラを購入し画像が大幅に改善された。これらのシステムを用い、上記1.の方法によるCuの蒸着膜に関する結果より、すでに報告されている事実からの予想とは異なり55Kの低温の下地上に入射した原子が最初の衝突点に固着されず7〜9nm程度表面移動すること、高温(200〜400K)の下地上への蒸着により蒸着原子は選択的にその運んできた運動量の方向へ下地表面上を移動すること、結晶核の形成は優先的に下地Wの低指数面領域でみられること、等が明らかとなり、現在投稿準備中である。上記2.の膜成長の形成過程を直接観察する方法については、システムを完成しこの方法の問題点がほぼ明らかになった。特に、蒸着進行途中で像を観察することの影響が予想以上に大きく、蒸着物質の選択に問題を残した。しかし、55Kの下地上に入射したCu原子がWの低指数平面上には固着され難くそのステップに優先的に固着されること、また結晶面によってはCu蒸着原子の固着し易さに違いがあることなど、興味ある結果が出始めており今後のデータに期待している。
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