1993 Fiscal Year Annual Research Report
電気化学堆積法による化合物半導体のエピタキシャル成長
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04650021
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| Research Institution | TOTTORI UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
松浦 興一 鳥取大学, 工学部, 助教授 (70029122)
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| Keywords | 化合物半導体 / セレン化亜鉛 / 硫化亜鉛 / 単結晶成長 / 電気化学堆積法 / 自由励起子エネルギー / X線光電子分光 / X線回折 |
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| Research Abstract |
1 ZnS単結晶成長
ヨウ素輸送法で、2.8gの立方晶バルク単結晶成長に成功した。自由励起子エネルギーの温度依存性は、E=3.8044-9.0×10^<-4>T^2/(T+450.8)で表されることが明らかになった。
2 電気化学堆積法によるTi電極上でのZnSe膜堆積とXPS解析
(1)Se溶液での堆積:Na_2SO_3とSeの水溶液(Se溶液)単独では、Se^<2->生成電位(-1.1V vs Ag/AgCl)を越えた-1.5Vの電位でもSeは堆積しない。
(2)Zn溶液での堆積:Zn-EDTAあるいはZn-NTA溶液では、Znの還元電位は約-1.3〜1.4Vと考えられ、これを越えた堆積電位でZnが堆積する。
(3)SeとZnの混合溶液での堆積:Znの還元電位を越えた堆積電位で、SeとZnが堆積する。その組成比は、堆積電位に依存し、-1.5V以下ではZn過剰となり電位が増すにつれ化学量論比に近づく。
(4)不純物ドーピング:堆積膜には、Naが含まれており、溶液組成を選択することにより、不純物ドーピング制御の可能性もある。
3 堆積膜評価
XRD測定では、ZnSe結晶、Zn金属、Se金属による反射スペクトルはいずれも観測されなかった。PL測定では、発光は観測されなかった。堆積膜は、アモルファス状態であることが考えられる。
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