高周波用アモルファス磁性超薄帯の微細磁化機構と超低損失・高透磁率化に関する研究

1992 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 04650273
• Research Institution: Miyagi National College of Technology
• Principal Investigator: 八木 正昭 宮城工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (80005371)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 沢 孝雄 東芝, 新素材応用研究所, 主査
• Keywords: 極薄アモルファス薄帯 / 高周波用 / 超低磁心損失 / 高透磁率 / 磁化機構

Research Abstract

本研究は、代表者八木が開発した低磁心損失のCo基のアモルファス超薄帯の、一層の超低損失化および高透磁率化を図るための基礎的検討を行うことを目的としている。
本年度は、研究計画にしたがって、種々の合金組成の薄帯を作製し、さらに熱処理方法・条件を変化させ、アモルファス超薄帯磁心の高周波磁心損失および透磁率等の特性について検討した。その結果、次のような諸点が((Fe-Co)Cr_<0.06>)_x(Si-B)_<100-x>,(x=75〜81)について明らかになった。
1.単なる歪み取り熱処理では、xの増加と共に磁心損失が増加する傾向が見られるが、これに幅方向磁界中熱処理を追加すると、磁心損失の抵減を図ることができ、x=77で30%程度損失を下げることができた。また、幅方向磁界中熱処理のみでは、x=79で同様に30%程度の損失低減効果が得られた。
2.さらに、幅方向磁界中熱処理を施した磁心の透磁率の周波数特性について、MHz帯で改善効果があるが明らかになった。遮断周波数はx=79〜81で2〜3MHzの値を達成し、従来のバルク材料で報告されていない優れた周波数特性が得られた。
3.歪み取り熱処理および幅方向磁界中熱処理材料について、カー効果による磁区観察を行った結果、前者については極めて微細な磁区の生成が、後者については薄帯幅方向磁区の微細化と合金組成の関係が、明らかになった。

Research Products

• [Publications] 八木、沢、山崎: "高周波用Co基アモルファス超薄帯磁心の磁気特性" 電気学会論文誌A. 112-A. 545-552 (1992)
• [Publications] 八木: "開発進むマイクロ磁気デバイス、Co基アモルファス薄帯およびアモルファスワイヤ磁性材料" 日本応用磁気学会研究会資料. 第76回. 17-20 (1992)
• [Publications] 八木、沢: "超低損失アモルファス磁性薄帯の開発と応用" 日本学術振興会アモルファス材料147委員会第37回研究会. 13-18 (1992)
• [Publications] 八木: "極薄アモルファス薄帯とその高周波特性" 日本金属学会会報. 31巻11号. 991-998 (1992)
• [Publications] 沢、中川、八木、井上: "Co基アモルファス極薄薄帯磁心とその応用" 東芝レビュー. Vol.47. 895-898 (1992)