1993 Fiscal Year Annual Research Report
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05044109
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| Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
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Principal Investigator |
藤原 賢三 九州工業大学, 工学部, 教授 (90243980)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HARALD SCHNE フラン, ホーファー応用物理学研究所, 研究員
KLAUS PLOOG ポール, ドルーデ固体エレクトロニクス研究所, 所長(教授)
中山 正昭 大阪市立大学, 工学部, 講師 (30172480)
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| Keywords | 半導体超格子 / ミニバンド / 光スペクトル / シュタルク効果 / 電気光学効果 / 光伝導 / バン・ホ-フ特異点 / ヘテロ界面 |
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| Research Abstract |
平成5年度は、超格子のミニバンド分散性、ミニバンド幅と各種光スペクトル構造、シュタルク階段準位光学遷移の振動子強度との相関について、主として実験研究を実施した。新たに得られた知見としては
1.半導体超格子光吸収スペクトル構造について得られた成果
(1)、ミニバンド幅と基礎吸収端光スペクトル構造の相関、即ち、ミニバンドの分散性との対応関係を系統的に明らかにすることができた。
(2)、従来は、実験的系統的に明らかでなかった、ミニバンド頂上のバン・ホ-フ(Van-Hove)特異点、即ち、鞍点における励起子効果が初めて明らかになった。
(3)、量子井戸ヘテロ界面の面内揺らぎ分布と発光過程の相関を明らかにした。
2.強電界下での光スペクトル構造と伝導性について得られた成果
(1)、シュタルク階段準位の共鳴励起による超格子ダイオード間の過渡的分極効果と透過光強度振動との相関を明らかにした。
3.シュタルク階段準位光学遷移について得られた成果
(1)、シュタルク階段光学遷移の振動子強度を測定し、ミニバンド局在性の強結合理論により、電界強度依存性、ミニバンド幅依存性を説明した。
(2)、シュタルク階段光学遷移の振動子強度と量子井戸局在準位間の共鳴結合効果を明らかにした。
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[Publications] K.Fujiwara et al.: "Optical Transitions in GaAs/AlAs Superlattices with Different Miniband Widths" Solid State Electronics. (in print).
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[Publications] K.Fujiwara et al.: "Direct Observation of Miniband-edge Singularities in the Optical Spectra of GaAs/AlAs Superlattices" Physical Review B. 49. 1809-1812 (1994)
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[Publications] K.Fujiwara et al.: "Miniband Edge Optical Transitions in Photocurrent Spectra of GaAs/AlAs Superlattices" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L821-824 (1993)
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[Publications] K.Fujiwara et al.: "Dynamics of Excitonic Photoluminescence Lineshape in Narrow GaAs Single Quantum Wells" Journal de Physique IV. 3(C5). 307-310 (1993)
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[Publications] U.Jahn et al.: "Cathodoluminescence Studies of Exciton Localization in GaAs-AlGaAs Single Quantum Wells" Applied Physics Letters. (submitted).
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[Publications] K.Fujiwara et al.: "Transmission Intensity Oscillations due to Stark-ladder Resonances in GaAs/AlAs Superlattices" Applied Physics Letters. (to be submitted).
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[Publications] I.Tanaka et al.: "Resonant Coupling Between Buried Single-quantum-well and Wannier-Stark-localization States in a GaAs/AlAs Superlattices" Solid State Electronics. (in print).
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[Publications] I.Tanaka et al.: "Critical Electric Field for Stark-ladder Formation in a GaAs/AlAs Superlattice" Physical Review B. 48. 2787-2790 (1993)
