1993 Fiscal Year Annual Research Report
走査型電気化学トンネル分光法による金属及び半導体・電解質溶液界面の電子物性
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05245202
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
魚崎 浩平 北海道大学, 理学部, 教授 (20133697)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
葉 深 北海道大学, 理学部, 教務職員 (40250419)
近藤 敏啓 北海道大学, 理学部, 助手 (70240629)
中林 誠一郎 北海道大学, 理学部, 講師 (70180346)
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| Keywords | 走査型トンネル顕微鏡 / トンネル分光 / 電気化学 / 金 / 白金 / 半導体電極 |
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| Research Abstract |
現有のSTMを改造し、フィードバック回路のON/OFF、ピエゾ印加電圧の測定/外部印加、バイアスの走査、トンネル電流の測定を16 bit DA、16 bit ADおよび12 bit DAを介してパソコン制御可能なシステムを構築した。
まず空気中で、探針-試料(金)間距離を変化させながらトンネル電流を測定した。期待されるトンネル電流の距離依存性が見られたが、得られた実効バリア高は非常に小さかった(〜0.02eV)。試料を純水で洗浄後、純水中で測定するとこの値は約1桁増加し、汚染による影響が確かめられた。次いで、電解質溶液中で試料(金単結晶、白金単結晶)と探針の電位を独立に制御しながら、トンネル電流の距離およびバイアス依存性を測定した。この場合もトンネル電流の対数と距離との間には直線関係がみられ、〜0.2eV程度の平均バリア高さが得られた。また、低バイアス領域ではトンネル電流はバイアスと直線関係となったが、バイアスが大きくなると電子構造を反映したものとみられる直線関係からのずれが観察された。さらに半導体電極についてもこれらの測定を行った。
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[Publications] K.Uosaki and M.Koinuma: "In-situ and real time monitoring of the InSe surface by atomic force microscopy with atomic resolution during electro-chemical reactions" J.Electroanal.Chem.357. 301-306 (1993)
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[Publications] K.Murakoshi and K.Uosaki: "X-ray photoelectron spectroscopic studies of the chemical nature of as-prepared and NaOII-treated porous silicon layer" Appl.Phys.Lett.62. 1676-1678 (1993)
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[Publications] K.Uosaki and M.Koinuma: "Atomic imaging of an InSe single-crystal surface with atomic force microscope" J.Appl.Phys.74. 1675-1678 (1993)
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[Publications] K.Murakoshi and K.Uosaki: "Observation and mechanism of photon emission at metal-solution interfaces" PHYSICAL REVIEW B. 47. 2278-2288 (1993)
