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1994 Fiscal Year Annual Research Report

間接遷移型半導体による発光の研究

Research Project

Project/Area Number 05302034
Research InstitutionKYOTO UNIVERSITY

Principal Investigator

佐々木 昭夫  京都大学, 工学部, 教授 (10025900)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 伊藤 利道  大阪大学, 工学部, 助教授 (00183004)
越田 信義  東京農工大学, 工学部, 教授 (50143631)
舛本 泰章  筑波大学, 物理学系, 教授 (60111580)
白木 靖寛  東京大学, 先端科学技術センター, 教授 (00206286)
柊元 宏  東京工業大学, 工学部, 教授 (50013488)
Keywords間接遷移型半導体 / 発光 / 人工局在準位 / 不規則超格子 / ブリルアン領域折り返し / 量子効果 / サイズ効果 / 界面効果
Research Abstract

研究分担者独自の新しい物理効果、化学効果による間接遷移型半導体の発光に関する研究を進め、随時情報交換と、徹底した討論を通じて、発光原理の解明と発光強度増大の方法等について検討を行った。今年度、得られた研究成果は以下の通りである。
分子線エピタキシ-によりAlP/GaP超格子の層厚を変え局在準位を人工的に形成し、局在準位を通しての発光の強さを層厚変化との関連で調べた。(佐々木)
MBEによるSi/Ge成長で、表面変性剤を用いたヘテロ界面の急峻化および平坦化を行い、欠陥の少ないSi/Ge歪超格子からの発光について検討した。(坂本)
AlP/GaP短周期超格子に関して、有機金属気相法(MOVPE)で構造を高精度に制御して作製する技術を確立し、発光と成長層歪との関係を明らかにした。(柊元)
第一原理の電子構造計算法により、間接遷移型材料の微細構造や超格子構造等の遷移確率および光吸収係数の理論計算を行った。(池田)
Si/Ge量子井戸の発光効率の向上のため、結晶方位依存性について検討を行い、すなわち、結晶方位によって異なるバンド不連続と発光効率と関連を調べ、発光効率向上のための検討を行い、強い発光を得るための、キャリアの新しい閉じ込め方法を考案した。(白木)
数十メートル寸法のGe微結晶をSiO_2,NaBr母体結晶中に作製し、構造評価を行ないながら、フォトルミネセンスの温度依存性,時間特性を研究し、サイズ依存性を明らかにした。(舛本)
多孔質シリコンの可視発光機構を明らかにするため、電子構造の解析やフォトルミネセンス,エレクトロルミネセンス特性の測定・解析を行った。(越田)
陽極化成法により作製した多孔質シリコンの微細構造を安定化するため、酸化処理を行う。得られた試料を電子分光法、高速イオン分光法や高分解能電子顕微鏡等の評価法により調べ、酸化処理効果を明らかにするとともに、ルミネセンス測定を行い、光学的な特性との相関を明らかにし、発光過程に関する知見を得た。(伊藤)

  • Research Products

    (6 results)

All Other

All Publications (6 results)

  • [Publications] A.Wakahara: "Organometallic vapor phase epitaxial growth of AlP/GaP monolnyer supertattice using tertiarybutylphosphine" Appl.Phys.Lett.65. 2096-2098 (1994)

  • [Publications] A.Sasaki: "Structural Characterization of ALP/GaP Disordered Superlattice by Dynamical simulation of X-Ray Diffraction" Jpn.J.Appl.Phys.33. 5671-5675 (1994)

  • [Publications] H.Kukimoto: "Photoluminescence Studies of (AlP)n(GaP)n Short-Period Superlattices" 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors.15-19 (1994)

  • [Publications] M.Ikeda: "First-principles calculations of (GaP)m/(AlP)n Superlattices" Phys.Rev.B. 50. 10958-10961 (1994)

  • [Publications] T.Ito: "visible Photoluminescence from Anodically Oxidized Porous Sillcon" Jop.J.Appl.Phys.33. L941-L944 (1994)

  • [Publications] Y.Masumoto: "Optical Properties of Disordered Silicon Polymers with Diffeseut Bock brne Structures" Proc.22th Int.Conf.Physics of Semiconductors. 2149-2152 (1995)

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Published: 1996-04-08   Modified: 2014-07-15  

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