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1993 Fiscal Year Annual Research Report

エピタキシャル成長した誘電体薄膜結晶の物性

Research Project

Project/Area Number 05402010
Research InstitutionKwansei Gakuin University

Principal Investigator

寺内 暉  関西学院大学, 理学部, 教授 (00079667)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 阪上 潔  関西学院大学, 理学部, 実験助手 (90215608)
加藤 弘  関西学院大学, 理学部, 教育技術主事 (30111040)
佐野 直克  関西学院大学, 理学部, 教授 (00029555)
Keywordsエピタキシャル成長 / 誘電体薄膜 / 酸化物薄膜 / ARE / MBE / 相転移 / X線回折
Research Abstract

本年度は、誘電体薄膜結晶に関する国内外の研究状況の調査と、薄膜結晶作製に関する基本的技術をマスターするための予備実験を行った。調査のためには、国内外で開かれる学会、特に米国において開かれた国際強誘電体会議、中国において開かれた国際結晶学会議に出席(費用は大学負担)し、薄膜結晶の最新の研究状況を把握した。また予備実験としては、京大化研の板東教授の指導のもとに酸化物薄膜結晶の作製(ARE,MBE)およびその評価をX線回折などで行った。
本年度の研究で明らかになったことは、BaTiO_3などの強誘電体薄膜結晶がエピタキシャル成長しているとき、基板結晶(今年度の場合SrTiO_3とMgO)の効果を強く受け、正方歪みがかなり高温まで保持でき、薄膜特有の誘電物性が期待できることである。特に強誘電相転移に関する新しい知見を得ることができた。本年度購入した「誘電体薄膜結晶育成ユニット」はこのような酸化物薄膜を成長するのに適した機能を持ち、さらに新しい知見が得られつつある。
これらの結果の一部は、すでに英文雑誌J.Phys.Soc.Jpn.に掲載し、また英文雑誌Ferroelectricsにも掲載予定である。また、これらに関連した論文、解説も発表した。

URL: 

Published: 1995-03-23   Modified: 2016-04-21  

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