金属間化合物薄膜の機能性電子材料への適用

1995 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 05402050
• Research Institution: KYOTO UNIVERSITY
• Principal Investigator: 村上 正紀 京都大学, 工学研究科, 教授 (70229970)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 奥 健夫 京都大学, 工学研究科, 助手 (30221849) ; 大槻 徴 京都大学, 工学研究科, 助手 (10026148) ; 小出 康夫 京都大学, 工学研究科, 助教授 (70195650)
• Keywords: 金属間化合物 / 薄膜 / 機能材料 / 電子材料

Research Abstract

本年度は近年当研究室で初めてn型GaAsに対してオーム性が確認された高融点金属間化合物の機能性コンタクト材としての適用性の基礎研究を進めた。金属間化合物コンタクト材は、GaAs基板への拡散が浅く、耐熱性が優れ、コンタクト材表面は平坦であり、コンタクト抵抗値の低減のみが達成されればVLSIデバイス適用条件をすべて満足する。従って本研究は金属間化合物コンタクト材と半導体界面の電気伝導機構を明らかにし、良質の電気特性を得ることを目的とした。本年度の成果は以下の通りである。
1.NiGeコンタクト材に微量の第三元素を添加し、コンタクト抵抗率の低減を達成した。第三元素の選定方法は平成5年度の結果から、金属と半導体界面近くのGaAs内にGaの空孔を形成し、その空孔にGeが拡散しやすい微量の第三元素を選定し、このIndirect dopant(Pd,Pt)がコンタクト抵抗率低減に非常に有効であることをあきらかにした。またDirect dopant(Sn,Te)添加により、熱安定性に優れた低抵抗コンタクトを開発した。
2.NiGe系コンタクトのコンタクト抵抗温度依存性を調べることにより、電気伝導機構は、GaAs、再成長GaAs界面で支配されていることを明らかにした。

Research Products

• [Publications] M. Murakami: "Development of Ohmic contacts for compound semiconductors." Proc. Int. Conf. Solid State and Integrated-Circuit Technology. 4. 374-378 (1995)
• [Publications] T. Oku: "Development of refractory NiGe-based Ohmic contacts to n-type GaAs" Inst. Phys. Conf. Ser.141. 721-726 (1995)
• [Publications] T. Oku: "Thermal stability of WN_x and TaN_x diffusion barriers between Si and Cu" Proc. IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference. 12. 182-185 (1995)
• [Publications] 村上正紀: "国際化渦中の日本のエレクトロニクス企業で材料屋は生き残れるだろうか?" 溶接学会誌. 64. 55-59 (1995)
• [Publications] 村上正紀: "化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化" 日本金属学会誌. 8. 987-991 (1995)