1993 Fiscal Year Annual Research Report
再構成表面および金属吸着表面の内部応力の透過電子顕微鏡法による研究
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05452037
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
箕田 弘喜 東京工業大学, 理学部, 助手 (20240757)
谷城 康眞 東京工業大学, 理学部, 助手 (40143648)
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| Keywords | 表面再構成 / 吸着構造 / 表面歪 / Si(111) / Si(111)5x2-Au / 表面内部応力 |
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| Research Abstract |
本年度は、試料作製のためのチャンバーとイオンポンプを主購入備品として購入し、試料作製を容易するような工夫を行った。それらは十分に機能し、本年度に次に述べるような成果を得た。
1)Si(001)2x1の歪について理論から求められる値を用いて、ステップ近傍での格子歪を計算し、得られたTEM像と定量的比較を行った。その結果、20-30nm領域の歪の広がりを観察した。
2)Si(111)-7x7と1x1相境界の方位が、7x7構造のサブユニットのFulted halfが接する方位であることをTEM法で決定した。また相境界には大きな歪があることを観察したが、歪のセンスを決めることは出来なかった。薄膜が十分薄いと、歪自身によって膜が大きく歪んでしまい、返って歪の検出には不向きであることが分かった。
3)Si(111)4x1-Inの吸着構造の分域は大変小さい(50nm程度)。従って、詳しい解析は困難であったが、内部歪は余りないと判定された。
4)一方、Si(111)5x2-Au表面は内部応力が働いていることが分かった。応力の主軸の方向は2倍方向([110]方向)とそれに垂直な[112]方向であると推定された。方位分域壁には歪による白または黒のコントラストが現れた。残念ながら、歪のセンスを決定することは出来なかった。
一方来年度作製予定の応力印加試料ホルダーの設計を完了し、来年度にすぐ設計製作出来るよう準備を行った。
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[Publications] H.Sato and K.Yagi: "Surface Stress on Si(001)2x1 Surfaces Studied by TEM" J.Phys:Condens.Matter. 5. 2095-2100 (1993)
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[Publications] H.Minoda and K.Yagi: "REM Studies of Surface Dynamics:Growth of Ge on Au deposited Si(111) Surfaces." Ultra microscopy. 48. 371-375 (1993)
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[Publications] H.Yamaguchi and K.Yagi: "Current Effects on Si(111) Surfaces at the Phase Transition between the 7x7 and the 1x1 Structures" Surface Sci.287/288. 820-825 (1993)
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[Publications] T.Suzuki,Y.Tanishiro,H.Minoda,K.Yagi,M.Suzuki: "REM Observations of Si(hhk) Surfaces and Their Vicinal Surfaces" Surface Sci. 298. 473-477 (1993)
