1993 Fiscal Year Annual Research Report
レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立
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05452096
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
中井 靖男 名古屋大学, 理学部, 助教授 (40022719)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
金崎 順一 名古屋大学, 理学部, 助手 (80204535)
伊藤 憲昭 名古屋大学, 理学部, 教授 (90022996)
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| Keywords | 表面欠陥 / 半導体表面 / 原子放出 / 共鳴イオン化 / 結晶成長 |
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| Research Abstract |
本研究の目的は半導体等の表面に微量に存在する欠陥のタイプ及び濃度を簡便に評価する手段を開発することにある。このため、これまで我々が明かにしてきた表面欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出現象の研究成果を利用する。この目的のためには、原子放出の感度の絶対校正および各タイプ欠陥の具体的構造を明らかにすることが必要である。
本年度は先ず、原子放出の高感度測定に用いる共鳴イオン化法の絶対校正を行い、微量の原子放出を検出する感度が10^<-7>単原子層以下の高感度であることを明らかにした。またこの絶対校正された検出系を、微量のGa原子を吸着させたGaP(100)表面へ適用し、付加原子型欠陥によるレーザー誘起原子放出の測定実験を行った。この結果
1.レーザー照射で放出されるGaは吸着量の数パーセントに過ぎないこと。
2.放出量は吸着量に対して三段階に識別される過程をとること。
3.この三段階の過程はGa吸着により起こる表面構造転移過程と強い相関をもつこと。
を明らかにした。この結果はレーザー誘起原子放出が、構造転移を伴う結晶成長の初期過程で、吸着原子の示す結合安定性の変化を明かにしたものである。さらに本年度は次年度以降の計画に用いるSTMを導入した新しい解析装置を完成させた。
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[Publications] Y.Nakai: "Defect Initiated Particle Emission by Laser Irradiation from Semiconductor Surfaces" Surf.Sci.283. 169-176 (1993)
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[Publications] J.Kanasaki: "Laser-induced Electronic Emissions of Si Atoms from Si(110) Surfaces" Jpn.J.Appl.Phys.32. L859-L862 (1993)
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[Publications] J.Kanasaki: "Dynamical Interaction of Surface Electron-Hole Pairs with Surface Defects:Surface Spectroscopy Monitored by Particle Emissions" Phys.Rev.Lett.70. 2495-2498 (1993)
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[Publications] N.Itoh: "Vacancy-initiated Laser Sputtering from Semiconductor Surfaces" Nucl.Instr.and Meth.B82. 310-316 (1993)
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[Publications] J.Kanasaki: "Enhancement of laser-induced defect-initiated Ga^0 emission from GaAs(110) surfaces by Br adsorption" Appl.Phys.Lett.62. 3493-3495 (1993)
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[Publications] J.Kanasaki: "Defect-initiated emission of Ga atoms from GaAs(110) surface induced by pulsed laser irradiation" J.Phys.:Condens.Matter. 5. 6497-6506 (1993)
