1994 Fiscal Year Annual Research Report
レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立
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05452096
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
中井 靖男 名古屋大学, 理学部, 助教授 (40022719)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
金崎 順一 名古屋大学, 理学部, 助手 (80204535)
伊藤 憲昭 名古屋大学, 理学部, 教授 (90022996)
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| Keywords | 半導体表面 / 表面欠陥 / 原子放出 / レーザー・固体表面相互作用 |
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| Research Abstract |
本研究は半導体表面に存在する微量の欠陥をエピタキシ-成長のような半導体材料および素子製作条件下で定量的に評価する実用的手段を開発することを目的としている。
我々はこの目的に、これまで我々が明らかにしてきた表面欠陥を媒介としたレーザ誘起原子放出現象での研究成果を利用する。このためには、(1)レーザー照射による表面欠陥からの原子放出の放出確率と検出感度および(2)各種の欠陥構造と原子放出を誘起するレーザー照射条件とを明かにせねばならない。前者に関しては平成5年度に既にGaP(100)表面に吸着させたGa付加原子型欠陥について、Ga吸着量と放出確率を明かにし、後者にし後者に関してはGa吸着形態と原子放出との相関に関する知見を得た。平成6年度では、後者に関してより具体的に欠陥構造と原子放出との相関を明らかにする目的で、STMを導入しSi(111)7x7清浄表面のレーザー照射による原子放出前後の変化を詳細に測定した。この結果7x7表面の単位胞の12個のアドアトムのうち6個のセンターアドアトムが残りの個のコーターアドアトムに比較して放出されやすいことを明らかにした。この実験結果は半導体表面でのレーザー照射による原子放出は欠陥において結合の弱まった原子で選択的に起こることを具体的な構造で初めて明かにしたものである。現在原子放出が原子結合構造とレーザー照射条件とにどのように依存するかを明らかにする詳細な実験測定を進めている。
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[Publications] Akiko Okano: "Electronic Prpcesses in Laser-induced Ga Emission and Laser Ablation" J.Phys:Condens.Matter. 6. 2697-2712 (1994)
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[Publications] Tomohiro Kubo: "Emission of Na Atoms from Undamaged and Slightly Damaged NaCl(100)Surfaces by Electronic Excitation" Phys.Rev.B49. 4931-4937 (1994)
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[Publications] Junnichi Kanasaki: "Enhancement of Emission of Si Atoms from Si(100)Surface by Low-rate Br Exposure:" Jpn.J.Appl.Phys.33. 2255-2257 (1994)
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[Publications] Junnichi Kanasaki: "Defect-initiated Atomic Emission from Semiconductor Surfaces induced by Laser Irradiation" Appl.Surface Science. 78/79. 100-103 (1994)
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[Publications] Jai Singh: "Defect-excitation Processes involved in Laser-induced Atomic Emission and Laser Ablation" Phys.Rev.B50. 11730-11737 (1994)
