1993 Fiscal Year Annual Research Report
極微小電子線プローブを用いた“埋もれた"金属/半導体界面の構造と物性の研究
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05452102
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40126876)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木塚 徳志 名古屋大学, 工学部, 助手 (10234303)
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| Keywords | ナノプローブ電子線 / 金属 / 半導体界面 / ナノ回打 / ナノEELS / 電子物性 / 界面構造 |
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| Research Abstract |
本年度は初年度として,埋もれた金属(半導体)/半導体界面の構造と物性の研究をするための基本装置としてナノプローブ電子顕微鏡を整備した.界面を1000万倍の高分解能像で捉えながら,必要な箇所に直径1-2nmの極小電子線を絞り込み,その場所からのナノ回析図形やナノ電子エネルギー損失分光スペクトルを得るために,電子線の収束系を改良し,また記録装置として,TV-画像処理装置-デジタルビデオ装置を整備した.またこのビデオデータはパソコンに転送して,FFT処理によりスペクトル解析や強度分布が簡単に得られるようになっている.
試料としては,各種半導体超格子の劈開試料のほかに,AU/Siの界面観察用試料を,Si蒸着膜の端面にAuを蒸着する方法で作製する開発実験を行なった.現在その試料の高分解能電子顕微鏡による界面の構造の評価をしている.またPbS/PbTe,PbTe/MgO界面試料について干渉性収束ナノ電子回折を行なった.この方法1992年英国で単結晶に対して実験が行なわれたが,人工の多層膜に適用されたのは世界ではじめてである.またこの干渉性収束電子回折図形を定量的に解析するために,マルチスライス法によるシミュレイションプログラムを開発した.これらの成果は,第1回半導体界面国際会議に発表し,電子顕微鏡国際学術誌にも投稿予定である.
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[Publications] N.Tanaka: "Structure and optical properties of CdSe quantum dots embedded in CaF_2 vacuum-deposited films" Z.Physik D. 26. S225-S227 (1993)
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[Publications] N.Tanaka,: "Structure and growth features of Cu/-Fe/Cu multilayers prepared by vacuum deposition on NaCl (001) substrates" J.Mag Mag Mat. 126. 55-58 (1993)
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[Publications] N.Tanaka,: "Direct observation of epitaxially grown C_<60> crystals and molecules on vacuum-deposited MgO films" Ultramicrosc.52. 533-538 (1993)
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[Publications] 田中信夫: "ナノプローブ電子線を用いた構造と電子物性の研究" 日本金属学会会報. 32. 21-28 (1993)
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[Publications] 田中信夫: "孤立原子を見る" 日本結晶学会誌. 35. 231-233 (1993)
