1994 Fiscal Year Annual Research Report
極微小電子線プローブを用いた“埋もれた"金属/半導体界面の構造と物性の研究
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05452102
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40126876)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木塚 徳志 名古屋大学, 工学部, 助手 (10234303)
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| Keywords | 極微小電子線プローブ / 半導体 / 金属界面 / ナノ回折 / ナノEELS / ナノプローブ電子物性 |
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| Research Abstract |
第2年度目はナノプローブ電子線による構造と物性の評価のための新しい研究を3つ行った。一つはフィールドエミッション電子銃から放出される可干渉性のナノプローブ電子線を用いて、新しい構造解析技術であるコヒーレントナノビーム電子回析の実験を行ったことであり、2つ目はナノビーム電子線を用いてナノ加工の基礎実験、及び3つ目は平成6年度の研究計画(1)、(2)にあるように、特殊な試料電流ホルダーを自作することにより、ナノビーム電子線による試料誘起電流(EBIC)や試料吸収電流を測定することを行った。
第1のコヒーレント電子回析は1992年英国のブリストル大学でSiC単結晶に対して最初に試みられた電子線による構造解析法の新しい方法である。当研究者らは日立研究所との共同研究としてこの手法を半導体/セラミックス界面(PbTe/MgO)に世界で最初に適用した。また、このコヒーレント電子回折に対応するマルチスライスシュミレーションプログラムを作製し、PbTeとMgOの格子のフィッティング状態を検出する方法を案出した。この成果は1994年夏にフランスで開催された第13回国際電子顕微鏡学会で招待講演に選ばれ発表され、また論文も投稿中である。
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[Publications] N.Tanaka et al.: "High resolution anolysis of interfaces of semiconductor superlatlices by using nm sized electron probe" Control of Semiconductor Interfaces. 1. 315-320 (1994)
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[Publications] 田中信夫: "ナノプローブ電子線を用いた構造と物性の研究" 日本金属学会報. 32. 21-28 (1993)
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[Publications] N.Tanaka et al.: "Coherent convergent beam electron diffraction of PbTe/MgO double layers" Proc.13th Inter Cong.Electron Microscopy. 2A. 1303-1304 (1994)
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[Publications] Kizuka et al.: "Nanometer scale electron beam processing and in-situ atomic observation of vacuum-deposited Mg^O films in HREM" Pleilo Mag Letl. 136(in print). (1995)
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[Publications] N.Tanaka et al.: "Direct observation of epitaxially grown G_<60> crystals and molecules on vacuum-deposited MgO films" Ultramicrosc.52. 533-538 (1993)
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[Publications] N.Tanaka et al.: "Structures and growth-features of Cu/γ-Fe/Cu mnltilayers prepared by vacuum deposition on NaCl substratis" J.Mag.Mag.Mater.126. 55-58 (1993)
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[Publications] N.Tanaka: "Metal/Semiconductor Interfaces(ed by A.Hiraki)" オーム社, 400 (1995)
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[Publications] 田中信夫: "表面分析図鑑(真下編)" 共立出版, 170 (1994)
