1993 Fiscal Year Annual Research Report
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05505001
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
奥山 文雄 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (30024235)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
最上 明矩 日本電子(株), 基礎研究所, 部長
種村 眞幸 名古屋工業大学, 工学部, 講師 (30236715)
北 重公 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (60006153)
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| Keywords | 真空マイクロエレクトロニクス / 電界電子放射 / スパッタリング / 表面テクスチュアリング |
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| Research Abstract |
本年度の研究実施計画は以下の通りである。
1.全体計画の討議:速やかに全面バーの会合を開き、試作装置の詳細を含め、本研究への取り組み型全般につき、十分な討議を行う。
2.実験装置の発注:イオン銃装備のSEMを主体とするFEAs作成装置をJOEL社に発注する。仕様は、上記会合で決定するが、超高真空に排気できること(コーンの形状制御に不純物は障害となる)、及びイオン銃は高速型であることが基本要件である。
3.ターゲットの準備:引き出し電極(陽極)、基板(陰極)及びスペーサーが一体となったターゲットを準備する。陽極材質はMo都市、基板はCu、Si平板とする。電子引き出し口ともなる“陽極ホール(孔)"の径は0.1〜1μm、基板電位は50〜150Vとする。なお、一定の作動条件下で、最大の放射電流を与える突起密度(ホール密度)と突起半径間の関係式が提案されている。ホール間隔(密度)は、予測される突起半径(10〜50A)に対し理論的に最適とされる値の近傍に設定する予定である。
4.全体システムの組み立て及び調整:主要装置の到着を待って、全体システム(Fig.1)の組み立てと調整を行う。スパッタリング用イオン種はAr^+、イオン加速電圧は2〜5kVとする。
以上の研究計画は全て終了し、現在、金属FEAsの作成とV-I特性評価に取り組んでいる。
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