1994 Fiscal Year Annual Research Report
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05505001
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
奥山 文雄 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (30024235)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
最上 明矩 日本電子(株)基礎研究所, 基礎研究部長
種村 眞幸 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (30236715)
北 重公 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (60006153)
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| Keywords | 真空マイクロエレクトロニクス / フィールド・エミッション / スパッタリング |
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| Research Abstract |
Field Emitter Arrays(FEAs)作製システムの組み立てを平成5年度に終了し、平成6年度は、本装置を用いてSi,Cu,InP,Ni等FEAsの作製を行うと共に、それらの電子放射特性の評価を行った。その典型例をFig.1とFig.2に示す。
Fig.1はAr^+イオンスパッタリングによりNi基板上に形成されたコーンの集団であり、その密度は、10^9/cm^2に達する。これらのNiコーンから放出された電子電流の電流電圧特性(Fig.2)は、Fowler-Nordheimの関係を満たし、電子電流は、電界放出電子に因るものであると結論される。すなはち、このようなコーン集団は、FEAsとしての機能を有し、その実際応用が、今後の課題となる。
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Research Products
(3 results)
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[Publications] 奥山文雄、加藤淳: "Novel fiber growth on Ar^+-sputtered InP" J.Vac.Sci.Technol.B. 12. 3054-3056 (1994)
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[Publications] 藤本、野津、奥山: "Geometry and structure of sputter-induced cones on nickel-seeded silicon" J.Appl.Phys.77(印刷中). (1995)
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[Publications] 加藤、野津、種村、奥山: "Structure and morphology of microprotrusions grown on Ar^+-sputtered InP" J.Vac.Sci.Technol.A. 13(印刷中). (1995)
