1994 Fiscal Year Annual Research Report
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05554004
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
幅 淳二 大阪大学, 理学部, 助手 (60180923)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
池田 博一 高エネルギー物理学研究所. 物理研究部, 助教授 (10132680)
松田 武 高エネルギー物理学研究所。物理研究部, 助教授 (10029564)
瀧田 正人 大阪大学, 理学部, 助手 (20202161)
山中 卓 大阪大学, 理学部, 助教授 (20243157)
長島 順清 大阪大学, 理学部, 教授 (90044768)
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| Keywords | APD / ピクセル / アバランシェ光ダイオード |
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| Research Abstract |
今年度も、昨年度に引き続き単一セル及び、リニアアレイ化した分割型アバランシェ光ダイオード(APD)の試作のプロセスを2度行った。昨年度明らかとなった、エッチングプロセス不良による耐圧不全に起因するリ-ク電流、及び増幅率不足を、改善するために、様々な対策を行った。
1)すべてのエッチングプロセスで、ウェハ-背面にレジストコートを行い、背面を保護した。
2)ブレイクダウン電圧改善のために、ボロンのドース量を最適化した。
これらの対策により、バイアス電圧100Vにおいて、リ-ク電流が3nA以下のものを得る事が出来た。増倍領域を形成していないサンプルとの比較から、バイアス電圧200Vでの増幅率は、20倍程度であると推測される。残念ながらこうしたサンプルの歩留まりはまだ充分とは言えず、セグメント化されたサンプルの評価には、未た到っていない。
さらに本年度は、新たな試みとして、MOS技術を用いたピクセル構造の検出器についても、検討を行った。これは、検出器中に形成されるピクセル上に、pMOSトランジスターも同時に形成し、信号の読み出し時にこのトランジスターによる増幅を活用することで、微小信号時のS/Nを改善するというねらいの基に行われた。様々なデザインスタディににより、200ミクロン平方のピクセルに、n型ウェルを形成して、18倍程度の荷電増幅率と、ピクセル当たり400e以下のノイズレベルが達成可能であることが明らかとなった。年度後半では、試作器を製作し、期待通りの増幅された信号を得ることに成功した。現在さらに大きなサイズの試作器を製作し、検討を進めている。
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Research Products
(1 results)
