1993 Fiscal Year Annual Research Report
新技術・レーザ励起フェライトメッキによるマイクロ波・ミリ波用GaAs/フェライト集積回路の作製
| Project/Area Number |
05555086
|
|---|
| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
阿部 正紀 東京工業大学, 工学部, 教授 (70016624)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
乾 哲司 日本電気(株), 資源環境研究所, 主管研究員
川又 肇 松下電子部品(株), 電子部品研究所, 室長
伊藤 友幸 東京工業大学, 工学部, 助手 (40203153)
五味 学 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授 (80126276)
玉浦 裕 炭素循環素材研究センター, 教授 (00108185)
|
|---|
| Keywords | フェライト / メッキ / マイクロ波 / ミリ波 / 誘電率 / 透磁率 |
|---|
| Research Abstract |
1.NiZn、MnZnフェライト膜の作製
光照射法によるNiZn、MnZnフェライト膜の膜堆積速度、その組成について調べた。膜堆積速度は、Fe_3O_4膜を作製する場合には及ばないものの光照射をしない場合に比べて〜5〜10倍の膜堆積速度を得たが、膜中のFe以外の金属イオンが多くなるにつれて小さくなる事がわかった。また、スピンスプレーフェライトメッキ法によって作製したNiZnフェライト膜の直流抵抗を測定し、ほぼバルクと同程度の抵抗値を持つ膜を作製できる事がわかった。さらに、NiZnフェライト膜の強磁性共鳴の半値幅は、多結晶膜であるにもかかわらずバルクの単結晶と同程度の半値幅を持つものを得られる事がわかった。
2.誘電損失の測定
フェライトメッキ法あるいは光照射法により作製したNiZnフェライト膜の複素透磁率、誘電率を購入したネットワークアナライザによる測定を試みている。基板には誘電率が小さいことからポリイミドを用いた。測定した試料はまだ多くないが、作製したフェライトメッキ膜はバルクのフェライトと同程度の誘電率であることが判った。しかし、空気中200℃で1日アニールしたが、誘電損失が減少する傾向は観察されていない。
今後、基板材料を耐熱性のある材料に変えて、アニール温度と誘電損失の関係を測定する予定である。
|
-
[Publications] M.Abe: "Ferrite Plating:A Versatile Preparation Technique of Ferrite Films in Aqnecus Solution at low Temperature(<100℃)" Ferrites:Proceedings of ICF 6,Tokyo and Kyoto,Japan 1992. 472-477 (1993)
-
[Publications] M.Abe: "Low Temperature(<100℃).Ferrite Film Synthesis from Aqueous Solution by Ferrite Plating" The 3rd MRS International Conference on Advanced Materials Abstracts. 77 (1993)
-
[Publications] M.Abe: "Ferrite Plating:A Novel Technique Making Oxide Magnetic Films in Aqueons Solution" The Electrochemical Society,183RD Society Meeting Abstracts. 93-1. 850 (1993)
