1993 Fiscal Year Annual Research Report
高速・高均一デジタルCVD法を用いたULSI用高機能性薄膜の作製
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05555089
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
堀池 靖浩 広島大学, 工学部, 教授 (20209274)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川村 剛平 東京エレクトロン(株), 総合研究所, 研究員
坂上 弘之 広島大学, 工学部, 助手 (50221263)
新宮原 正三 広島大学, 工学部, 助教授 (10231367)
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| Keywords | デジタルCVD / トリエチルシラン / コンフォーマルCVD / 低誘電率薄膜 |
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| Research Abstract |
透過型のin-situFTIR測定から、トリエチルシラン(Si(C_2H_5)_3H;TES)と水素(H)原子の反応により有機Si膜がコンフォーマル(溝の内壁に沿って均一)に堆積する現象の原因をFTIRで研究した結果、TESとH原子は表面で出会ってはじめて反応し、その起源は両者の吸着後の基板からの熱励起にあることが判明した。更に、Si-H結合を2つ持つSi(C_2H_5)_2H_2とH原子との反応では堆積速度がTESよりも2倍になることが分かった。また、膜堆積はH原子を供給した所が堆積し、速度や均一性はノズルと基板との距離や水素流量に依存することが分かり、今後の大面積堆積研究に大きな知見を得た。
低誘電率膜の生成の研究を始め、TES/H反応膜にフッ素原子を暴露してその後に酸化する方法で、フッ素の含有をXPSとFTIRで確認し、F含有SiO_2膜の作成を実現し、比誘電率3.9を得た。更に、低誘電率化を目指し、クメン(C(CH_3)_3(C_6H_5))/H反応によるコンフォーマルな有機薄膜の堆積と、この膜のフッ素化によるテフロン膜の堆積を試みた。X線コンタクト顕微鏡用試料溝窓材のため窒化ボロン(BN)膜の生成を試み、B(CH_3)_3を放電分解して有機種含有ボロン膜の堆積後、H原子で有機種を除去し窒化することにより、良質な六方晶BNを得た。
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Research Products
(1 results)
