ヘテロ構造LB膜の電流スイッチング機構の解明

1993 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 05650004
• Research Institution: Yamagata University
• Principal Investigator: 大嶋 重利 山形大学, 工学部, 教授 (40124557)
• Keywords: LB膜 / ヘテロ構造 / 電流スイッチング機構

Research Abstract

LB法を用いて,アラキン酸-TCNQのヘテロLB膜を作製し以下の様な成果を得た。
(1)ヘテロ構造LB膜の確認
電流スイッチング機構を解明するためには,分子レベルで平滑なヘテロ構造を作製する必要がある。分子レベルで平滑かどうかをAFMで評価した。その結果,アラキン酸,TCNQ両LB膜は極めて平滑であり,表面は1分子長以下の凸凹であることが明らかとなった。
(2)スイッチング特性
電流スイッチング特性とは,電圧の印加により電気抵抗が急激に減少する現象である。この現象は,アラキン酸-TCNQヘテロLB膜で生じることが見い出された。その現象を確認する為に次のことを検討した。
○構成元素の検討
アラキン酸,TCNQ単体のLB膜を作製しスイッチング現象を検討した結果,アラキン酸単体のLB膜ではその現象は見られなかった。また,TCNQLB膜を作製するときに,Cdイオンを添加しないとスイッチング現象は見られなかった。従って,LB膜のスイッチング現象は,CdイオンとTCNQ膜の相互作用によって生じることが判明した。
現在その機構の理論的解釈を検討している。

Research Products

• [Publications] 西田,大嶋,奥山,中島,山下: "ヘテロLB膜の作製とその電気的特性" 電気学会論文誌A. 114. 40-46 (1994)