1993 Fiscal Year Annual Research Report
PLAS法によるa-Si:H/a-S_<T3>N_4:H界面の動的性質の解明
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05650011
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| Research Institution | Gifu University |
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Principal Investigator |
仁田 昌二 岐阜大学, 工学部, 教授 (90021584)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
伊藤 貴司 工学部, 助手 (00223157)
荻原 千聡 山口大学, 工学部, 助教授 (90233444)
野々村 修一 岐阜大学, 工学部, 助教授 (80164721)
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| Keywords | アモルファス・シリコン / 光ルミネッセンス / PLAS / 吸収係数 / 光導波路 / シミュレーション / スパッタ金属 / ITO |
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| Research Abstract |
(a).PLAS(pliotoluminescence absorption spectroscoky)の超薄膜構造について実験を行い、約500Aまでの測定は可能であるが,400A以下の測定が困難であることが分った.その原因として(イ)基板の凸凹(〜2000Aのオーダ).(ロ)迷光をふせぐために用いるAl膜のヒロックの発生.(ハ)シミュレーションから分ったクラッド層厚依存性等が分った.
(b).PLAS構造の光の作る電磁界の解析を行ない、上記(ハ)で述べたように、コア層のa-Si:Hが薄くなると光のクラッド層へのしみ出し(Goos-Hanchem効果)が大きくなり、それに耐えるだけの厚みを持つクラッド層が必要になることが分った.
(c).上記(イ)、(ロ)、(ハ)について、対策をした結果400Aのコアa-Si:Hについて8000Aのクラッド層を用いることによって、PLASの測定して成功した.
(d).PLASから求める吸収係数は界面の影響を受けるため、外部に金属電極を取りつけることによって、PLAS信号の電圧依存性を調べることが可能である.
[あ].まず、電極として、Alを用いることによってPLAS信号の電圧依存性の存在を明らかにした.
[い].さらに電圧依存性を明らかにするためにITOスパッタ膜の作製を行い、そのITOを用いた、MISIM系で、電圧依存性と、履歴の存在を見い出した.
(e).迷光防止用に使う金属として、新しくNi-Cr,Ni,Crについて検討し、ヒロックを防止出来、さらにAlに比較して、反射率が少ないので、よりすぐれていることが分った.このため、Ni-Cr系用にスパッタ装置を作り、これを用いて、Ni-Cr,Ni,Crのスパッタ膜を作った.現在Ni-Cr,Ni,Crを用いたPLAS構造について実験を行なっている
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[Publications] S.Nitta,E.Nishimura,T.Minamide,T.Uchida and S.Nonomura: "Studies of Optical Absorption Coefficients α of a-Si:H by photolumlnesconce Absorption Spectroscope" J.Non-Cryst.Solid. 164-166. 913-916 (1993)
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[Publications] S.Nonomura,T.Nishiwaki,S.Kusakabe,E.Nishimura,T.Itoh and S.Nitta: "Optical absorption of bigh quality a-Si:H and a-Six N_<-x>:H in the low evergy region 0.43eV〜1.5eV by PDS." J.Non-Cryst.Solid. 164-166. 359-362 (1993)
