1993 Fiscal Year Annual Research Report
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05650304
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
田口 常正 大阪大学, 工学部, 講師 (90101279)
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| Keywords | CdZnS / ZnS / 歪超格子 / 量子井戸 / UVレーザ / II-VI族半導体 |
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| Research Abstract |
1)n型CdZnS量子井戸層へのホール(正孔)を注入するために,アクセプターNを添加できるようNガスをマイクロ波プラズマ分解してドーピングを行った。原料には,ジメチルCd,ジメチルZnとH_2Sを用いてN添加p型ZnS膜(キアリア濃度〜10^<16>cm^<-3>)を得た。
2)局在励起子が大きな光学利得を有することを明らかにしてきたので,このような励起子系の反転分布によるレーザ発振機構を考察した。その結果,混晶の組成変動がレーザ発振と大きくかかわっていることを明らかにした。
3)CdZnS量子井戸の電子状態を歪とスピン軌道相互作用を取り入れたハミルトニアンを用いて理論的に考察した。圧縮歪によりバンドオフセットが変化することを明らかにした。
4)CdZnS/ZnS量子井戸構造を用いて30Kにて約375nmにレーザ発振に起因すると思われる鋭い発光を観測した。今後,正孔濃度を10^<17>cm^<-3>程度のp型ZnS膜の成長を可能にするために励起されたN^*のプラズマ分光を行い,成長の最適条件を見い出す。
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[Publications] T.Taguchi,C.Onodera,Y.Yamada,Y.Masumoto: "Band offsets in CaZnSlZnS strained quantum well and its application to UV laser diode" Jpn.J.Appl.Phys.32. 1308-1311 (1993)
