1994 Fiscal Year Annual Research Report
ロジウム(I)錯体の新規補助配位子の開発とヒドロホルミル化における選択性の研究
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06227224
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
山本 經二 東京工業大学, 工学部, 教授 (80025999)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
土井 隆行 東京工業大学, 工学部, 助手 (90212076)
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| Keywords | ヒドロホルミル化 / 5配位錯体 / スチレン / ロジウム(I)触媒 |
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| Research Abstract |
ヒドロホルミル化におけるRh(I)触媒はCO圧下、5配位錯体が触媒種であると考えられるので、ジエカトリアル2座配位を有利とするbite angle 〜120°の新規配位子1〜3を設計合成した。[Rh(CO)_2(acac)+ligand]のin situ 触媒前駆体で、スチレンのヒドロホルミル化を行ったところ、選択的な分岐アルデヒド生成のtumover frequency (TOF) [Rh atom^<-1>・h^<-1>,30℃]で示した触媒効率は、2(9.7)>1(4.6)>3=^^〜Ph_2P(CH_2)_2PPh_2(〜3)>Ph_2P(CH_2)_4PPh_2(1.8)となった。酢酸ビニルのヒドロホルミル化でも全く同じTOFの順序であった。従って、これらRh(I)の補助配位子における広いbite angle(〜120°)は触媒活性を維持する上で極めて優れていると結論できる。
しかしこれらは[2.2.1]heptane骨格からのペンダントの立体崇高さが不足している為、分岐アルデヒドでの不斉誘起が見られなかった。式1に従って新たにジホスファイト4を合成し、Rh(I)/4系触媒でナフロキセン合成へのヒドロホルミル化を試みた結果、反応は容易に完結するが不斉収率は14%eeに止まっている。
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