走査型マイクロ蒸発源による密度変調・歪整合型SiGeC格子の研究

1994 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 06402024
• Research Category: Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 高柳 邦夫 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (80016162)
• Keywords: 走査型マイクロ蒸発源 / 密度変調・歪整合型格子 / 超高真空電子顕微鏡

Research Abstract

本研究年度では、透過型電子顕微鏡JEM-1010Sを購入整備した。また、計画にしたがって、密度変調・歪整合型の格子を電子顕微鏡内で製作するために必要なinstrumentation、1)電子顕微鏡内の超高真空化、2)ピエゾ素子でドライブ出来るマイクロ蒸着源について設計・製作準備を整えた。
マイクロ蒸発源は、試料表面から1nm程度の距離に蒸発源を接近させる機能、蒸発源と試料間に最高500Vまでの正負電圧を印加出来る機能、蒸発源を最高1500Kまで加熱出来る機能、さらに試料表面に沿って最大10ミクロン移動出来る機能を備える。この蒸発源によって試料上に1〜10nmの幅で超格子をつくり、異種元素を添加することにより超格子の密度と格子定数を変化させ、密度変調・格子整合型超格子をメソスコピックなサイズで作ることが可能となる。この密度ならびに格子変化を電子顕微鏡によって調べる予定である。
研究に必要な備品の導入が次年度にわたっているため、本年度は予備的な研究にとどまっている。

Research Products

• [Publications] Y.Ohshima,K.Takayanagi: "Solid-Liquid phase transition of tin particles observed by UHV high resolution electron microscopy" Z.Phys.D. 27. 287-294 (1993)
• [Publications] Y.Kimura,K.Takayanagi: "Incommensurate phase of Sn/si(100)studied by HR-REM" Surface Sci.283. 349-354 (1993)